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It is shown that the pressure treatment of boron nitride (BNsph) polycrystals a t room temperature results in the change of broad band parameters (A, B, C) and zero-phonon lines of cathodoluminescent (CL) spectra, and in the appearance of RC centers. In the pressure treated ceramic samples BNsph the PC-1 (2.84 eV), PC-2 (2.325 eV), PC-3 (1.79 eV) centers of presumably interstitial nature are found. The comparative analysis of the dependence of the broad bands parameters and zero-phonon lines of the GC centers in the CL spectra of boron nitride on pressure makes i t possible t o connect the appearance of the A and B bands in the energy range 1.85 to 3.25 eV with electronic states in the band gap due to multi vacancy complexes based on boron and nitrogen vacancies, respectively, while the appearance of the C band (1.55 t o 1.85 eV) with the plastic deformation of BN,pti.Es wird gezeigt, daB eine Druckbehandlung von Bornitrid (BNspll)-Polykristallen bei Zimmertemperatur zu einer h d e r u n g der Parameter der breiten Banden (A, B, C) und der Null-Phononenlinien der Kathodolumineszenz (CL)-Spektren und dem Auftreten von RC-Zentren fuhrt. I n den druckbehandelten keramischen BNspi,-Proben werden PC-1 (2,84 eV)-, PC-2 (2,325 eV)-und PC-3 (1,79 eV)-Zentren mit wahrscheinlich Zwischengitternatur gefunden. Die vergleichende Analyse der Druckabhangigkeit der Parameter der breiten Banden und der Null-Phononenlinien der GC-Zentren im CL-Spektrum von Bornitrid ermoglicht, das Auftreten der Aund B-Banden im Energiebereich 1,85 bis 3,25 eV mit elektronischen Zustanden in der Bandlucke infolge Mehrfach-Vakanzenkomplexe auf der Basis von Bor-bzw. Stickstoff-Leerstellen zu verkniipfen, wahrend das Auftreten der C-Bande (1,55 bis 1,85 eV) mit der plastischen Deformation von BNsph verbunden ist.

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