Die Erschließung neuer Anwendungsfelder und der Drang zur Größenreduktion von hoch stabilen Druckmesssystemen macht die Erweiterung der Einsatztemperaturbereiche der MEMS Primärsensoren nötig. Es wurden daher piezoresistive Drucksensorsysteme für einen deutlich erweiterten Temperaturbereich entwickelt. Die Leckströme der Sensoren konnten im Bereich bis 300°C um 5 Größenordnungen gesenkt werden. Der Einfluss von allseitigen statischen Drücken konnte unter Anderem durch die Anwendung des Niedertemperatur-Silizium-Direktbondens im Mittel auf Werte kleiner 0,007%FS/100bar gesenkt werden. Die entwickelten piezoresistiven Sensoren auf Siliziumbasis zeichnen sich durch eine hohe Montagespannungsresistenz aus. Die Nullpunktabweichungen nach dem zero-und first-level Packaging betragen weniger als 0,01%FS/24h bei Temperaturen von über 200°C.
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