Die Abh/ingigkeit der transversalen maglletischen Widerstands/~nderung yore Leitungstyp, der Bewegliclakeit der Ladungstr~ger und der geometrisehen Form des Halbleiterk6rpers wird berechnet und am InSb experimentell untersucht. Es ergibt sieh, dab die Form erst fiir Beweglichkei~en grSBer als 10000 cm2/Vsec eine weselltliche Rolle spielt, wobei der HaLL-Winkel eine Forminvariante ist. An CORmNoScheiben aus InSb erwies sich der Widerstalld in einem Magnetfeld yon 10 000 Gaul3 24,6mal gr013er als ohne Feld.I. Einleitung.

Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit der Nachbildung der halbleitenden Elemente der vierten Hauptgruppe

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