Présentation et validation du programme OSIRIS de simulation bidimensionnelle des processus technologiques

Abstract

Nous présentons le programme bidimensionnel de simulation des processus technologiques, OSIRIS. Les modèles utilisés pour l'implantation ionique, la croissance d'oxyde et la redistribution des dopants sont d'abord développés. Nous décrivons d'autre part la méthode de résolution de l'équation de diffusion par différences finies. Pour terminer, une comparaison est faite entre des profils de bore obtenus par simulation et des profils expérimentaux à deux dimensions mesurés par EBIC

Recent developments of the two-dimensional technological process simulator OSIRIS

“…Especially for MOS circuits several two-dimensional simulators [1][2][3] have been proposed in order to take into account the inhomogeneity of the field oxide thickness and the lateral diffusion effects. Similar to the simulators given in [1,2], the authors have developed the program OSIRIS [4,5]. It allows the simulation of a complete device fabrication process including the following steps :…”

Détermination des paramètres de distribution des auto-interstitiels silicium en vue de la modélisation 2-D des processus technologiques. Discussion sur la validité physique

“…Appl. 20 (1985) L'évolution de la technologie des circuits intégrés vers les dimensions microniques et submicroniques a rendu nécessaire depuis quelques années l'utilisation de l'analyse bidimensionnelle des processus technologiques (programmes de simulation à 2 dimensions tels que SUPRA [1], OSIRIS [2], MOBIDIC [3]). Le chapitre de l'oxydation thermique du silicium est une partie importante de cette analyse, et dans un dispositif à 2 dimensions comprenant une zone oxydée et une zone passivée (voir Fig.…”