Recent developments of the two-dimensional technological process simulator OSIRIS

Abstract

2014 La simulation numérique des processus technologiques est très importante pour la fabrication des circuits intégrés. Dans cet article, les auteurs présentent une version plus complète du simulateur bidimensionnel OSIRIS, prenant en compte la diffusion simultanée de deux impuretés. Les modèles utilisés pour l'implantation ionique et la redistribution des dopants sont brièvement rappelés. Un nouveau modèle a été développé pour la croissance de l'oxyde de champ : il permet une très bonne simulation du « bec d'oiseau » obtenu par le procédé SEMIROX. Comme exemple, la réalisation d'un dispositif N-MOS complet est simulée par le programme, qui donne le profil des impuretés et la forme de l'oxyde à la fin du processus.

Modeling of diffusion and oxidation in two dimensions during silicon device processing

“…However, a strong stress on the oxide grown underneath a thick nitride mask results in a 'pinch' of oxide near the mask edge. In this case, following functions are used to simulate 'bird's beak' on the two sides of the 'pinch' (Guillemot et al 1987b).…”

“…The boundary conditions are: z~(y)=z2(Y)=O for y values <0 or >0 except z2(y ) =-eox for y>0. The other details can be seen from the article of Guillemot et al (1987b).…”