Détermination des paramètres de distribution des auto-interstitiels silicium en vue de la modélisation 2-D des processus technologiques. Discussion sur la validité physique

Abstract

Nous présentons une simulation de la distribution en volume des auto-interstitiels silicium pendant une oxydation thermique en face arrière de plaquette. Nous montrons d'abord qu'elle peut permettre la description de la distribution d'impuretés à 2 dimensions dans une structure « LOCOS ». Nous donnons également les hypothèses physiques qui sont à la base de notre modèle. Ce dernier donne une longueur de recombinaison en volume, Lv = 35 μm ± 8 μm et une longueur de recombinaison en surface sur SiO2 de 8 μm ± 2 μm (à 1 100 °C) qui sont en bon accord avec les ordres de grandeurs déterminés sur des mesures à 2 dimensions. La valeur trop faible trouvée pour la diffusivité D i des auto-interstitiels et les contradictions soulevées par certains auteurs nous amènent ensuite à remettre en cause certaines hypothèses jusqu'à présent admises à propos de l'effet de l'oxydation thermique sur le silicium

A Quantitative Model for Silicon Yield Stress Calculations at Thin Film Edges

“…With the exception of the first one, these sources are limited to a narrow region of the substrate, and sophisticated two-dimensional models and computer simulations are required to calculate the interstitial distribution (e.g., [23][24][25]. In the present paper the first source, which is mostly distributed more or less homogeneously throughout the wafer, is analyzed in detail, and it is shown that analytical expressions can be obtained for an inert anneal.…”