One possibility of mathematically modeling the thermal effect of a finely focused electron beam on a homogeneous semiconductor

Amrastanov, A. N.; Ginzgeymer, S. A.; Stepovich, M. A.; Филиппов, М. Н.

doi:10.3103/s1062873816100038

Cited by 9 publications

(3 citation statements)

References 5 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…The possibilities of using this model for estimating the heat distribution in various semiconductor targets are the subject of this work. In this case, unlike [8], in the present work, the simulation was carried out for the case of the absence of heat transfer of the target with the external medium, which is usually realized in electron-probe technology.…”

Section: Simulation Of Electron Beam Energy Lossesmentioning

confidence: 99%

On one peculiarity of the model describing the interaction of the electron beam with the semiconductor surface

Stepovich

Amrastanov

Seregina

et al. 2018

J. Phys.: Conf. Ser.

View full text Add to dashboard Cite

Abstract. The problem of heat distribution in semiconductor materials irradiated with sharply focused electron beams in the absence of heat exchange between the target and the external medium is considered by mathematical modeling methods. For a quantitative description of energy losses by probe electrons a model based on a separate description of the contributions of absorbed in the target and backscattered electrons and applicable to a wide class of solids and a range of primary electron energies is used. Using the features of this approach, the nonmonotonic dependence of the temperature of the maximum heating in the target on the energy of the primary electrons is explained. Some modeling results are illustrated for semiconductor materials of electronic engineering.

show abstract

Section: Simulation Of Electron Beam Energy Lossesmentioning

confidence: 99%

On one peculiarity of the model describing the interaction of the electron beam with the semiconductor surface

Stepovich

Amrastanov

Seregina

et al. 2018

J. Phys.: Conf. Ser.

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…3 представлено распределение плотностей потерь энергии электронами пучка в кремнии, арсениде галлия и теллуриде кадмия, нормированные на величину энергии, выделяемой в мишенях в единицу времени -см. [7], [19], [20]. При проведении расчетов использованы параметры мишени, характерные для указанных полупроводниковых материалов.…”

Section: B вторая модельunclassified

“…Отметим, что для однородных материалов проведено моделирование явлений тепломассопереноса и для остро сфокусированного электронного зонда [7]- [9], в т.ч. и с использованием численных методов [10], [11].…”

Section: Introductionunclassified

On the Joint Application of the Matrix Method and the Apparatus of Generalized Powers of Bers for Mathematical Modeling of Heat and Mass Transfer in Semiconductor Materials of Electronic Engineering

Калманович¹,

Stepovich²

2018

MES

View full text Add to dashboard Cite

Аннотация-Для математического моделирования явлений тепломассопереноса, обусловленных взаимодействием заряженных частиц или электромагнитного излучения с поверхностью многослойной полупроводниковой мишени, разработан матричный метод, который используется совместно с методом обобщенных степеней Берса. Разработанный метод является аналитическим и позволяет получать решение задач тепломассопереноса для произвольного количества слоёв как в случае однородной, так и неоднородной среды внутри каждого слоя. Также рассматривается возможность использования метода в качестве численного для решения неоднородных уравнений тепломассопереноса. Ключевые слова-математическое моделирование, заряженные частицы, электромагнитное излучение, полупроводник, явления тепломассопереноса, матричный метод, обобщённые степени Берса.

show abstract

Assessment of the heating of conductive targets with an electron beam. Results of computational experiment

Stepovich

Amrastanov

Seregina

et al. 2019

J. Phys.: Conf. Ser.

View full text Add to dashboard Cite

One possibility of mathematically modeling the thermal effect of a finely focused electron beam on a homogeneous semiconductor

Cited by 9 publications

References 5 publications

On one peculiarity of the model describing the interaction of the electron beam with the semiconductor surface

On one peculiarity of the model describing the interaction of the electron beam with the semiconductor surface

On the Joint Application of the Matrix Method and the Apparatus of Generalized Powers of Bers for Mathematical Modeling of Heat and Mass Transfer in Semiconductor Materials of Electronic Engineering

Assessment of the heating of conductive targets with an electron beam. Results of computational experiment

Contact Info

Product

Resources

About