Assessment of the heating of conductive targets with an electron beam. Results of computational experiment

О Нахождении Моментных Функций Стохастического Процесса Теплопроводности С Использованием Проекционного Метода

“…к повышению локальной температуры (см. [20,21,23]) и, как следствие, к изменению характеристик вещества, в некоторых случаях необратимому. Например, для материалов полупроводниковой микро-и наноэлектроники такое воздействие приводит к изменению ряда электрофизических параметров (см.…”

“…Учет нагрева полупроводникового материала особенно существенен при использовании концентрированных источников воздействия, например, сфокусированных электронных пучков, широко используемых в электронно-зондовых технологиях (см. [3,22,23]).…”

“…При облучения поверхности твердого тела ускоренными заряженными частицами или электромагнитным излучением экспериментальное определение локальной температуры нагрева мишени сильно осложнено малым размером области генерации тепла: в начальный момент времени -порядка десятых или даже сотых долей микрометра (см. [8,23]), -а при импульсном воздействии еще и необходимостью учета зависимости процесса теплопередачи от времени, вследствие чего полученные результаты имеют невысокую точность и могут рассматриваться лишь как качественные. Поэтому особую ценность в практике воздействия заряженными частицами или импульсами электромагнитного излучения на твердые тела приобретают расчетные оценки величины нагрева, основанные на решении уравнения теплопроводности (см.…”

“…Поэтому особую ценность в практике воздействия заряженными частицами или импульсами электромагнитного излучения на твердые тела приобретают расчетные оценки величины нагрева, основанные на решении уравнения теплопроводности (см. [2,3,23]).…”