High tunable BaSn_xTi_1-xO₃thin films for microwave applications

Enhanced Tunability of BaTixSn1−xO3 Films on Dielectric Substrate

“…Depending on the ratio of the concentrations of Ti and Sn atoms, the value of the relative dielectric permittivity of BTS solid solution in the maximum can reach significant values (2-3) × 10 4 [15]; the introduction of chemically more stable Sn atoms into a solid solution instead of Ti can lead to a decrease in through conductivity and dielectric losses, to a significant increase in the electrical strength of the material, and, as a result, to the possibility of increasing the applied electric field and increasing the dielectric nonlinearity [16]. A number of papers have been published that investigate the structural and electrophysical properties of BTS thin films [15][16][17][18][19][20][21][22][23][24][25][26][27][28][29][30][31][32][33][34], including works dedicated to microwave investigations [25,34,35]. The studied films were obtained by chemical solution deposition [22,23,36], ion-plasma sputtering [17][18][19]29,30,34,35], sol-gel technology [24][25][26][27][28]31,32] and laser ablation…”

Начальные Стадии Роста Пленок Цирконата-Титаната Бария И Станната-Титаната Бария На Монокристаллических Подложках Сапфира И Карбида Кремния

“…Твердые растворы цирконата-титаната бария BaZr x Ti 1−x O 3 (BZT) и станната-титаната бария BaSn x Ti 1−x O 3 (BTS) в значительной степени являются аналогами твердых растворов BST. Интерес к этим соединениям определяется высокими значениями диэлектрической проницаемости при комнатной температуре и высокой диэлектрической нелинейностью в сочетании с низкими диэлектрическими потерями, что перспективно для СВЧ применений [10]. По сравнению с твердыми растворами BST, соединения BZT и BTS характеризуются меньшей диэлектрической релаксацией, меньшими значениями токов утечки, а также большей устойчивостью к воздействию смещающих полей [11].…”

Планарные Емкостные Структуры На Основе Сегнетоэлектрических Пленок Титаната-Станната Бария На Сапфире Для Сверхвысокочастотных Применений

“…Как альтернативу BST можно рассматривать титанатстаннат бария BaSn x Ti 1−x O 3 (BSnT) [7,8]. Преимуществами данного материала являются меньшие величины диэлектрической релаксации и возможность приложения больших полей управления [9], что важно для реализации мощных сегнетоэлектрических СВЧ-устройств.…”

“…На данный момент опубликован ряд работ, в которых исследуются структурные и электрические свойства пленок BSnT с целью их применения в электрически управляемых устройствах [7][8][9][10][11][12][13][14]. Отметим, что в подавляющем большинстве работ рассматриваются твердые растворы с содержанием олова, не превышающим 30%, что обеспечивает высокие значения диэлектрической проницаемости и, как следствие, сравнительно высокие потери.…”

“…Отметим, что в подавляющем большинстве работ рассматриваются твердые растворы с содержанием олова, не превышающим 30%, что обеспечивает высокие значения диэлектрической проницаемости и, как следствие, сравнительно высокие потери. Характеристики слоев BSnT зависят от температуры осаждения [7][8][9][10], подложки [11,12], давления и состава рабочего газа [13,14]. В данных работах электрические характеристики слоев исследуются в составе плоскопараллельных емкостных структур металл−диэлектрик−металл (МДМ).…”