Впервые исследованы начальные стадии роста сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната бария и станната-титаната бария на подложках монокристаллического сапфира и карбида кремния. Выбор подложек обусловлен возможностью применения данных структур в сверхвысокочастотных устройствах. Показано, что рост островковых пленок BaZrx Ti 1−x O 3 происходит посредством механизма массопереноса частиц через газовую фазу во всем исследуемом температурном диапазоне. При конденсации BaSnx Ti 1−x O 3 пленок в температурной области ∼ 800 • C происходит смена механизма массопереноса с поверхностной диффузии на диффузию через газовую фазу, кроме того наблюдается существенная разница в компонентном составе пленок на сапфире и карбиде кремния. Отмечено, что при росте оксидных пленок на поверхности подложки карбида кремния образуется промежуточный слой SiO 2 , толщина которого зависит от температуры осаждения. А.В. Тумаркин, М.В. Злыгостов и А.А. Одинец выражают благодарность за финансовую поддержку РФФИ в рамках научных проектов 16-07-00617, 16-29-0514, 18-37-00348 и Минобрнауки России (государственное задание № 3.3990.2017/4.6).
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.
hi@scite.ai
10624 S. Eastern Ave., Ste. A-614
Henderson, NV 89052, USA
Copyright © 2024 scite LLC. All rights reserved.
Made with 💙 for researchers
Part of the Research Solutions Family.