Впервые исследованы начальные стадии роста сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната бария и станната-титаната бария на подложках монокристаллического сапфира и карбида кремния. Выбор подложек обусловлен возможностью применения данных структур в сверхвысокочастотных устройствах. Показано, что рост островковых пленок BaZrx Ti 1−x O 3 происходит посредством механизма массопереноса частиц через газовую фазу во всем исследуемом температурном диапазоне. При конденсации BaSnx Ti 1−x O 3 пленок в температурной области ∼ 800 • C происходит смена механизма массопереноса с поверхностной диффузии на диффузию через газовую фазу, кроме того наблюдается существенная разница в компонентном составе пленок на сапфире и карбиде кремния. Отмечено, что при росте оксидных пленок на поверхности подложки карбида кремния образуется промежуточный слой SiO 2 , толщина которого зависит от температуры осаждения. А.В. Тумаркин, М.В. Злыгостов и А.А. Одинец выражают благодарность за финансовую поддержку РФФИ в рамках научных проектов 16-07-00617, 16-29-0514, 18-37-00348 и Минобрнауки России (государственное задание № 3.3990.2017/4.6).
The concentration profiles of defects produced in structures upon the implantation of nitrogen ions into GaAs epitaxial layers with an uncovered surface and that covered with an AlN film and subsequent annealing are studied. The ion energies and the implantation doses are chosen so that the nitrogen-atom concentration profiles coincided in structures of both types. Rutherford proton backscattering spectra are measured in the random and channeling modes, and the concentration profiles of point defects formed are calculated for the samples under study. It is found that the implantation of nitrogen ions introduces nearly the same number of point defects into structures of both types, and the formation of an AlN film by ion-plasma sputtering is accompanied by the formation of an additional number of defects. However, the annealing of structures of both types leads to nearly the same concentrations of residual defects.
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.
hi@scite.ai
10624 S. Eastern Ave., Ste. A-614
Henderson, NV 89052, USA
Copyright © 2024 scite LLC. All rights reserved.
Made with 💙 for researchers
Part of the Research Solutions Family.