Начальные Стадии Роста Пленок Цирконата-Титаната Бария И Станната-Титаната Бария На Монокристаллических Подложках Сапфира И Карбида Кремния

Abstract

Впервые исследованы начальные стадии роста сегнетоэлектрических пленок цирконата-титаната бария и станната-титаната бария на подложках монокристаллического сапфира и карбида кремния. Выбор подложек обусловлен возможностью применения данных структур в сверхвысокочастотных устройствах. Показано, что рост островковых пленок BaZrx Ti 1−x O 3 происходит посредством механизма массопереноса частиц через газовую фазу во всем исследуемом температурном диапазоне. При конденсации BaSnx Ti 1−x O 3 пленок в температурной области ∼ 800 • C происходит смена механизма массопереноса с поверхностной диффузии на диффузию через газовую фазу, кроме того наблюдается существенная разница в компонентном составе пленок на сапфире и карбиде кремния. Отмечено, что при росте оксидных пленок на поверхности подложки карбида кремния образуется промежуточный слой SiO 2 , толщина которого зависит от температуры осаждения. А.В. Тумаркин, М.В. Злыгостов и А.А. Одинец выражают благодарность за финансовую поддержку РФФИ в рамках научных проектов 16-07-00617, 16-29-0514, 18-37-00348 и Минобрнауки России (государственное задание № 3.3990.2017/4.6).