Equilibrium calculations for VPE-InGaAsP

Abstract

2014 L'équilibre hétérogène du système InGaAsP/HCl/H2 a été étudié dans un domaine de température et de pression caractéristiques de l'épitaxie en phase vapeur (EPV) par la méthode des hydrures. Les prévisions théoriques sont comparées aux données expérimentales pour la croissance d'alliages GaInAsP ayant la même maille cristalline que le substrat InP. Les résultats présentés sont en bon accord avec quelques données expérimentales. Quelques cas de désaccord entre résultats thermodynamiques et résultats expérimentaux ou entre différentes valeurs expérimentales sont également discutés. Abstract. 2014 The heterogeneous equilibrium in the InGaAsP/HCl/H2 system has been studied at pressure and temperature conditions pertaining to the hydride-VPE growth. The results have been compared with the available experimental data on the growth of the above quaternary alloys lattice-matched to InP. A remarkably good agreement has been achieved with some existing data. Possible causes of discrepancies both between equilibrium and experimental results and between different experimental findings have been briefly discussed.

Rapid epitaxial growth of conducting and insulating III-V compounds on (001), (110), (111)A, (311)A, and (311)B surfaces by hydride vapor phase epitaxy

“…For examwhere K is the equilibrium constant of the overall Reaction ple, at the temperatures at and below 600 ЊC, the theoretical [2], whose temperature dependence is given as trend is ln K ϭ Ϫ21. [5], [6], [7], and [10] were The trend of the experimental growth rate is almost similar to the theoretically predicted trend. [5], [6], [7], and [10] were The trend of the experimental growth rate is almost similar to the theoretically predicted trend.…”