Modern submicron technology of epitaxial GaAs-layout on monosilicon substrates requires significant development and improvement of precision low-temperature methods for the formation of functional layout in properties that are not inferior to layers formed by high-temperature methods. Today, in order to increase the speed and impedance of submicron combined silicon and arsenide-based structures, the LSI/VLSI is intensively searching for new high-efficient technological operations for the formation of their structures, which would reduce the temperature of deposition of functional layers and increase the temperature stability of concentration profiles and charge state. The submicron technology of forming LSI/ VLSI structures has been developed, which includes a whole complex of studies of unique processes of gas-phase photo stimulating processes: oxidation, etching of epitaxy, diffusion, implantation, activation of impurities, and reduction of low-level hidden contacts. Particularly relevant today are processes of submicron technology, which do not change the concentration profiles of homo- and heterojunction in the process of formation of the structures of the LSI and are highly stimulating in reducing the time of execution of the technological route for short microcycles in the individual processing of mono-Si substrates of large diameter (> 150 mm).In this paper, the essence of the conducted researches in the given processes of submicron technology LSI/VLSI, which increase them as resolution, and charge stability, is disclosed.
Інститут прокуратури та кримінальної юстиції Національного юридичного університету імені Ярослава Мудрого ШТУЧНИЙ ІНТЕЛЕКТ ЯК ПОТЕРПІЛИЙ ВІД ЗЛОЧИНУ Анотація. Стаття присвячена комплексному дослідженню інституту потерпілого в кримінальному праві та розгляду питань, пов'язаних із можливістю визнання штучного інтелекту потерпілим від злочину. Характеризуються ознаки потерпілого, які можуть бути властиві штучному інтелекту. Особливу увагу звернено на діяння, що можуть бути спрямовані на протидію штучному інтелекту і розглядатися як злочини. Також у статті вказується на шкоду, яка може бути спричинена штучному інтелекту у зв'язку з посяганням на нього та її можливі різновиди. Проведено розмежування терміну потерпілого як суб'єкта кримінального процесу і потерпілого від злочину. Проаналізовано сучасний стан регламентації статусу «електронної особи» та перспективи розвитку. Запропоновано внести зміни до національного законодавства у разі наділення штучного інтелекту певним правовим статусом. Ключові слова: штучний інтелект, електронна особа, потерпілий, суб'єкт злочину, шкода, посягання на штучний інтелект, інформаційні технології, правовий статус штучного інтелекту.
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.