Abstract. Sensors based on MOSFET with por-Si layer at the back-gate part and with H2О2 catalyst (Pt-nanoparticles) investigation was done. Back-gate changes were done by MASE technology. The porous structure analysis, measurement dimension of Pt nanoparticles was performed. And also we represented the influence thus nanoparticles for sensor sensitivity. Аннотация. Было проведено исследования сенсоров на базе МДН-транзисторов со слоем пористого кремния и катализатором перекиси водорода ( наночастицами платины) на обратной стороне подложки со стороны затвора. Изменения тыльной стороны сенсора производилась методом металл-стимулированного химического травления. Произведено анализ пористой структуры, измерено размер наночастиц платины и их влияние на чувствительность сенсора. Используя аппроксимации вольт-амперных характеристик при разных концентрациях перекиси водорода рассчитано чувствительность сенсора, которая составляет не менее 0,135 мкА/ppm. Рассчитано энергетическую активность реакции каталитического распада H 2 О 2 та ее влияние на результаты эксперимента.Ключевые слова: МДН-транзистор, сенсор, перекис водорода, пористый кремний, Pt на-ночастицы
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.