The oxidation kinetics of Si in oxygen rf plasma in a planar reactor is investigated. It is found that the dependence of the oxide layer thickness on oxidation time is characterizedbyarapid initial region described by the Mott-Cabrera law, followed by a linear region. The influence of glow discharge parameters on the oxidation process is investigated. It is concluded that the active oxidizing particle is elemental oxygen.Die Oxidationskinetik von Si im HF-Sauerstoffplasma eines planaren Reaktors wird untersucht. Es wird festgestellt, daB die Abhiingigkeit der Oxidschichtdicke von der Oxidationszeit durch einen steilen Anfangsbereioh, der nach dem Gesetz von Mott-Cabrera beschrieben wird, und einem nachfolgenden linearen Bereioh charakterisiert wird. Der EinfluB der Entladungsparameter auf den Oxidationsvorgang wird untersucht. Es wird gefolgert, daB das aktive Oxidationsteilchen atomarer Sauerstoff ist.
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