Пространственное перераспределение излучения во флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs

Abstract

Проведены измерения и анализ пространственного распределения равновесного и неравновесного (в том числе люминесцентного) излучения в средневолновых ИК флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs (lambdamax=3.4 мкм) с учетом конструктивных особенностей фотодиодов, включая отражательные свойства омических контактов. Сделана оценка увеличения оптической площади сбора фотонов за счет лучей, испытывающих многократные отражения внутри полупроводниковых чипов с различающимися геометрическими характеристиками. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44117.8380

Локализация прохождения тока в термофотовольтаических преобразователях на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs

“…В настоящей работе изучались изопериодные ДГС, выращенные методом жидкофазной эпитаксии на сильно легированных подложках n + -InAs (Sn) (n + = = (2−3) • 10 18 cm −3 ) и содержащие нелегированный широкозонный слой n-InAsSbP толщиной 2−3 µm, активную область (АО) из n-InAs толщиной 7−8 µm и контактный широкозонный слой p-InAsSbP толщиной 2−3 µm, аналогично описанным нами ранее [16]. На рис.…”

“…к нему по составу твердых растворов в конструкции флип-чип с широкими анодами, для которых во всех ранее опубликованных работах указанное распределение было равномерным (см., например, [20,21]). Локализация плотности тока во флип-чип диодах наблюдалась ранее только для СД на основе InGaAsSb, выращенном на слабо проводящей подложке p-GaSb, с которой был сопряжен U-образный анод [22]. Неравномерность распределения плотности тока по площади диода является одной из причин искажения вида ВАХ, при этом, как и в случае диодов с точечным контактом [5], сгущение линий тока приводит к увеличению эффективного значения фактора идеальности, в нашем случаедо максимального значения β = 1.94.…”

Диодные оптопары на основе InAsSb для сенсоров углекислого газа, работающих в режиме реального времени

“…Чипы СД и ФД, имеющие круглую мезу с широким круглым анодом диаметром ∼ 0. катод, расположенные на эпитаксиальной поверхности подложки n-InAs, создавались методами стандартной фотолитографии с применением " мокрого" химического травления. Подробную схему аналогичного чипа с опи-санием состава и отражательных свойств контактов, а также особенностей перераспределения в нем излучения можно найти в работе [17].…”

Фотодиоды на основе InAsSbP для длин волн 2.6-2.8 mum

“…Чипы ФД с широким круглым анодом и подковообразным катодом были спро-ектированы для " перевернутого" монтажа и тыльного облучения (флип-чип или BSI (back-side illuminated)), как показано на рис. 1, a и в работе [10]. В некоторых образцах с целью минимизации неопределенности в оп-тической площади ФД при вычислении токовой фоточув-ствительности подложка почти полностью удалялась при ее химическом травлении.…”