“…к нему по составу твердых растворов в конструкции флип-чип с широкими анодами, для которых во всех ранее опубликованных работах указанное распределение было равномерным (см., например, [20,21]). Локализация плотности тока во флип-чип диодах наблюдалась ранее только для СД на основе InGaAsSb, выращенном на слабо проводящей подложке p-GaSb, с которой был сопряжен U-образный анод [22]. Неравномерность распределения плотности тока по площади диода является одной из причин искажения вида ВАХ, при этом, как и в случае диодов с точечным контактом [5], сгущение линий тока приводит к увеличению эффективного значения фактора идеальности, в нашем случаедо максимального значения β = 1.94.…”