Проведены измерения и анализ пространственного распределения равновесного и неравновесного (в том числе люминесцентного) излучения в средневолновых ИК флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs (lambdamax=3.4 мкм) с учетом конструктивных особенностей фотодиодов, включая отражательные свойства омических контактов. Сделана оценка увеличения оптической площади сбора фотонов за счет лучей, испытывающих многократные отражения внутри полупроводниковых чипов с различающимися геометрическими характеристиками. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44117.8380
Рассматриваются перспективы защиты высоковольтных 4H-SiC-приборов от краевого пробоя путем формирования мезаструктур с наклонными стенками, образующими прямую фаску. Проведено численное моделирование пространственного распределения электрического поля в высоковольтных (~1500 В) обратносмещенных мезаэпитаксиальных 4H-SiC p+-p-n0-n+-диодах. Показано, что снятие прямой фаски под углами менее 10o от плоскости p-n0-перехода позволяет в несколько раз уменьшить краевое поверхностное поле по сравнению с полем в объеме. Для 4H-SiC-диодов с p+-n0-n+-структурой, диодов Шоттки с no-базой, биполярных n+-p-n0-транзисторов предлагается комбинированный способ защиты --- имплантация бора в периферийную область приборов в сочетании с формированием прямой фаски. Кратко рассматривается возможность изготовления мезаструктур с наклонными стенками с помощью фотолитографии и сухого травления карбида кремния. Ключевые слова: карбид кремния, диод, прямая фаска, моделирование, сухое травление.
Asymmetrical double InAs/InAsSb/InAsSbP heterostructures are grown by metalorganic vapor-phase epitaxy. Two types of light–emitting diodes (A and B) were created on basis of grown heterostructures with emission peak at 4.1 µm and 4.7 µm, respectively. The current–voltage and electroluminescent characteristics of light–emitting diodes are investigated at room temperature. When operating at 50 % duty cycle mode (frequency − 512 Hz) with a current of 250 mA, light–emitting diodes A and B produced the optical power of 24 μW and 15 μW, respectively. Under the pulse operation (frequency − 512 Hz, duration − 1 μs) with a current of 2.1 A, the optical power of light–emitting diodes А and B reached the values of 158 μW and 76 μW, respectively. The developed light–emitting diodes can be used as high-effective radiation sources in optical absorption sensors for detection of carbon dioxide and carbon monoxide in the atmosphere.
Описаны способы микропрофилирования эпитаксиальных структур 4H-SiC: формирование мезаструктур с наклонными стенками (угол наклона стенки от вертикали >45o) с помощью реактивного ионно-плазменного травления; травление мезаструктур с плоским дном и наклонными стенками (угол наклона стенки от вертикали <45o) методами ионно-лучевого и реактивного ионно-плазменного травления. Показано применение разработанных методов в технологии изготовления меза-эпитаксиальных полевых транзисторов с затвором Шоттки на основе 4H-SiC. Ключевые слова: травление SiC, полевые СВЧ транзисторы, мезаструктуры.
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.