Фотодиоды на основе InAsSbP для длин волн 2.6-2.8 mum

Abstract

Приведены результаты исследований фотоэлектрических, вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик фотодиодов (ФД) на основе гетероструктур InAsSbP/InAs, работающих при комнатной температуре и чувствительных в диапазоне длин волн 2.6−2.8 µm. Полученные характеристики ФД и анализ литературных данных позволяют судить о перспективности использования таких фотоприемников в ряде практических приложений.

Диодные оптопары на основе InAsSb для сенсоров углекислого газа, работающих в режиме реального времени

“…Для создания оптопар использовались двойные ге-тероструктуры p-InAsSbP/n-InAsSb 0.08 /n-InAs, состав и свойства которых достаточно подробно описаны в рабо-тах [7,15,16]. Чипы СД и ФД, имеющие круглую мезу с широким круглым анодом диаметром ∼ 0. катод, расположенные на эпитаксиальной поверхности подложки n-InAs, создавались методами стандартной фотолитографии с применением " мокрого" химического травления.…”