“…Для создания оптопар использовались двойные ге-тероструктуры p-InAsSbP/n-InAsSb 0.08 /n-InAs, состав и свойства которых достаточно подробно описаны в рабо-тах [7,15,16]. Чипы СД и ФД, имеющие круглую мезу с широким круглым анодом диаметром ∼ 0. катод, расположенные на эпитаксиальной поверхности подложки n-InAs, создавались методами стандартной фотолитографии с применением " мокрого" химического травления.…”