Получение Эпитаксиальных Слоев Легированного Мышьяком Теллурида Кадмия MOCVD-методом

Акцепторное легирование мышьяком при осаждении слоев CdTe из диметилкадмия и диизопропилтеллура

“…В данном случае мы можем исключить образование аддукта между ДМК, ТДМАА и продуктами его распада [14], поскольку повышение потока ТДМАА от 2 • 10 −7 до 1 • 10 −6 моль/мин не приводило к увеличению скорости осаждения CdTe на изучаемых ориентациях роста. Для легированных из ТДМАА слоев CdTe (100), выращенных из паров диэтилтеллура (ДЭТ) и ДМК, ранее нами получена аналогичная степенная зависимость с близким по значению коэффициентом a = 1.5 [13].…”

“…Для всех кристаллографических ориентаций различимы три ступеньки легирования. Как и ожидалось [6,13], вхождение мышьяка в слои CdTe увеличивается при уменьшении соотношения ДИПТ/ДМК от 1.4 до 0.5. Изменение соотношения ДИПТ/ДМК в газовой фазе позволяет управлять эффективным соотношением Te/Cd на ростовой поверхности и переходить по условиям осаждения от обогащения Te к обогащению Cd.…”

“…Концентрация дырок в слоях, выращенных при отношении ДИПТ/ДМК = 1, увеличивается с продолжительностью отжига и достигает максимального значения p = 1 • 10 17 см −3 в течение 60 мин. Этот результат несколько выше значений, полученных в [11,12,15,16], и близок к рекордным значениям концентраций дырок p = (1−2) • 10 17 см −3 в легированных мышьяком эпитаксиальных слоях CdTe, полученных методом MOCVD [6,13,21,22]. Тем не менее доля электрически активного мышьяка в слоях CdTe, полученных с использованием ДИПТ (∼ 4.5%), существенно ниже доли в слоях CdTe, полученных ранее с использованием ДЭТ (10−85%) [6].…”

“…Курицын лять концентрацией собственных дефектов и изменять условия вхождения примеси в слои за счет использования разнообразных прекурсоров и их соотношений. В качестве источников примеси мышьяка в методе MOCVD применяют арсин и его производные [10][11][12], а в последнее время наибольшее применение находит трис-диметила-миноарсин (ТДМАА, TDMAAs, As[N(CH 3 ) 2 ] 3 ) [6,[13][14][15][16]. Это связано с его невысокой температурой распада (50% при 350 • С [17]), а также низким давлением пара, что обеспечивает лучший контроль уровня легирования.…”

Влияние условий осаждения из паров металлоорганических соединений на получение эпитаксиальных слоев n-CdTe с использованием изопропилиодида

“…Для применения в производстве полупроводниковых устройств необходим материал n-и p-типа проводимости с контролируемыми электрофизическими свойствами. Например, для эффективных солнечных элементов требуется p-CdTe с концентрацией дырок ≥ 10 16 см −3 , и в [7,8] мы продемонстрировали возможность получения методом металлоорганической парофазной эпитаксии (MOVPE) легированных мышьяком слоев CdTe с p(T room ) = (1−2) • 10 17 см −3 . В то же время для детекторов рентгеновского и γ-излучения на основе структуры p-CdTe/n-CdTe/n + -Si требуется высоколегированный n-CdTe [9].…”