Исследованы температурные зависимости концентрации носителей заряда и времени жизни неосновных носителей заряда в нелегированных и легированных мышьяком эпитаксиальных слоях Hg 1−x Cdx Te p-типа проводимости c x ≈ 0.4, полученных методом MOCVD-IMP. Показано, что температурные зависимости концентрации носителей заряда могут быть описаны моделью, предполагающей наличие одного акцепторного и одного донорного уровней. Значения энергий ионизации акцепторов в нелегированном и легированном мышьяком материалax составили 14 и 3.6 мэВ соответственно. Установлено, что доминирующим механизмом рекомбинации в нелегированных слоях является рекомбинация Шокли-Рида-Холла, а после низкотемпературного равновесного отжига в парах ртути (230 • C, 24 ч)-излучательная рекомбинация. Фундаментальное ограничение времени жизни в легированном мышьяком материалe обусловлено ожепроцессом 7. Активационный отжиг (360 • C, 2 ч) легированных слоев позволяет достичь 100%-й активации мышьяка.
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.