Электрофизические свойства нелегированных и легированных мышьяком эпитаксиальных слоев Hg-=SUB=-1-x-=/SUB=-Cd-=SUB=-x-=/SUB=-Te p-типа проводимости с x~0.4, выращенных методом MOCVD

Abstract

Исследованы температурные зависимости концентрации носителей заряда и времени жизни неосновных носителей заряда в нелегированных и легированных мышьяком эпитаксиальных слоях Hg 1−x Cdx Te p-типа проводимости c x ≈ 0.4, полученных методом MOCVD-IMP. Показано, что температурные зависимости концентрации носителей заряда могут быть описаны моделью, предполагающей наличие одного акцепторного и одного донорного уровней. Значения энергий ионизации акцепторов в нелегированном и легированном мышьяком материалax составили 14 и 3.6 мэВ соответственно. Установлено, что доминирующим механизмом рекомбинации в нелегированных слоях является рекомбинация Шокли-Рида-Холла, а после низкотемпературного равновесного отжига в парах ртути (230 • C, 24 ч)-излучательная рекомбинация. Фундаментальное ограничение времени жизни в легированном мышьяком материалe обусловлено ожепроцессом 7. Активационный отжиг (360 • C, 2 ч) легированных слоев позволяет достичь 100%-й активации мышьяка.