Зеренная структура и прочность пластически деформированного интерметаллического соединения Ni<sub>3</sub>Al

Овчаренко, В. Е.; Боянгин, Е. Н.; Мышляев, М. М.; Иванов, Ю. Ф.; Иванов, К. В.

doi:10.7868/s0869565215280087

Cited by 2 publications

(2 citation statements)

References 0 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Этим методом формируется слоистая структура из частиц-кристаллитов, которую для случаев полупроводников можно назвать мультикристаллической [3] или мультизеренной по аналогии с металлами [8]. Электрофизические и оптические свойства такой структуры зависят от размеров и формы зерен-кристаллитов, степени их соприкосновения, среды заполнения межзеренного пространства.…”

Section: поступило в редакцию 27 декабря 2016 гunclassified

Механизмы Тока В Слоях Электроосажденных Субмикронных Полупроводниковых Частиц

Жуков

Мосияш

Хазанов

et al. 2017

Письма В Журнал Технической Физики

View full text Add to dashboard Cite

Исследованы вольт-амперные характеристики (ВАХ) проводимости в муль-тизеренных слоях субмикронных частиц кремния, арсенида галлия, арсенида и антимонида индия. Наночастицы получены помолом монокристаллов на шаро-вой мельнице и после седиментации нанесены на подложки электроосаждением. Детальный анализ ВАХ позволил установить, что их поведение определяется механизмом межзеренной туннельной эмиссии из приповерхностных электрон-ных состояний субмикронных частиц. Определены параметры эмиссионного процесса. Использование мультизеренных полупроводниковых структур воз-можно в газовых и оптических сенсорах, приемниках ИК-излучений.

show abstract

Section: поступило в редакцию 27 декабря 2016 гunclassified

Механизмы Тока В Слоях Электроосажденных Субмикронных Полупроводниковых Частиц

Жуков

Мосияш

Хазанов

et al. 2017

Письма В Журнал Технической Физики

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…1, a, b) и возможность управлять процессом с помощью электрического поля в зазоре катод−анод. Сформированную структуру слоя мы назвали мультизеренной (МЗС) [10] по аналогии с названием, используемым для нанопорошков металлов и композитных материалов (MGS) [11].…”

unclassified

Исследование Квантовых Точек В Мультизеренном Слое Планарно-Торцевой Микроструктуры

Жуков¹,

Ягудин²,

Абаньшин³

et al. 2020

Письма В Журнал Технической Физики

View full text Add to dashboard Cite

Quantum dots (QDs) of Cds, PbS, and InSb semiconductors in a multi-grain layer of planar-edge microstructure were studied. A model of the ordered arrangement of CT in the micro-gap structure and the flow of current along the lines of parallel arrangement of QD is proposed. Electronic transport at low voltage values (less than 8 V) is determined by thermal and tunnel emission from the QD into the gap, at high values - by the charge restriction in the QD according to the Coulomb block model. A strong influence of IR and UV radiation on the VAC was found.

show abstract

Зеренная структура и прочность пластически деформированного интерметаллического соединения Ni₃Al

Cited by 2 publications

References 0 publications

Механизмы Тока В Слоях Электроосажденных Субмикронных Полупроводниковых Частиц

Механизмы Тока В Слоях Электроосажденных Субмикронных Полупроводниковых Частиц

Исследование Квантовых Точек В Мультизеренном Слое Планарно-Торцевой Микроструктуры

Contact Info

Product

Resources

About

Зеренная структура и прочность пластически деформированного интерметаллического соединения Ni3Al

Cited by 2 publications

References 0 publications

Механизмы Тока В Слоях Электроосажденных Субмикронных Полупроводниковых Частиц

Механизмы Тока В Слоях Электроосажденных Субмикронных Полупроводниковых Частиц

Исследование Квантовых Точек В Мультизеренном Слое Планарно-Торцевой Микроструктуры

Contact Info

Product

Resources

About

Зеренная структура и прочность пластически деформированного интерметаллического соединения Ni₃Al