Механизмы Тока В Слоях Электроосажденных Субмикронных Полупроводниковых Частиц

Abstract

Исследованы вольт-амперные характеристики (ВАХ) проводимости в муль-тизеренных слоях субмикронных частиц кремния, арсенида галлия, арсенида и антимонида индия. Наночастицы получены помолом монокристаллов на шаро-вой мельнице и после седиментации нанесены на подложки электроосаждением. Детальный анализ ВАХ позволил установить, что их поведение определяется механизмом межзеренной туннельной эмиссии из приповерхностных электрон-ных состояний субмикронных частиц. Определены параметры эмиссионного процесса. Использование мультизеренных полупроводниковых структур воз-можно в газовых и оптических сенсорах, приемниках ИК-излучений.

Особенности Свойств Полупроводников А-=sup=-Iii-=/Sup=-В-=sup=-v-=/Sup=- В Мультизеренной Наноструктуре

“…Основными были измерения вольт-амперных харак-теристик (ВАХ) на структурах в трех вариантах: в эмиссионно-туннельном локальном контакте с наноза-зором микрозонд−микрозерно поверхности полупровод-ника (вариант СТМ), в мультизеренной слоистой струк-туре (МСС) и вакуумной триодной структуре термо-катод−сетка−анод с мультизеренным анодным слоем (вариант ВТС). Методики подготовки образцов и изме-рений характеристик описаны в наших работах [11,12].…”

“…Особый интерес при этом представляют исследования СТМ-методом, кото-рый позволяет провести детальный анализ. В наших работах [6,14] этим методом найдены параметры ло-кализованных состояний электронов с использованием аппроксимации ВАХ формулой (1), в частности энергии активации ϕ * уровней (см. таблицу), локализованных в объеме электронных состояний.…”

“…В литературе, однако, практически отсутствуют аналогичные работы с использованием полупроводниковых соединений А III В V , которые благодаря самому широкому сочетанию физиче-ских свойств позволили создать гигантские промышлен-ные масштабы оптоэлектроники и уникальные приборы микроэлектроники. Наличие, например, в узкозонных полупроводниках А III В V носителей заряда с экстремаль-но малыми величинами эффективной массы приводит к проявлению квантово-размерных эффектов в наночасти-цах больших размеров, в отличие от квантовых точек А II В VI , что важно для практического применения [6][7][8]. В данной работе приводятся систематизированные результаты собственных исследований свойств анти-монида индия InSb, арсенида индия InAs и арсенида галлия GaAs в мультизеренной структуре, спецификой которых являются экстремально малые значения эф-фективной массы m * электронов проводимости, опре-деляющей свойства размерного квантования.…”

Инжекция Эмиссионных Электронов В Мультизеренной Наноструктуре Полупроводников

“…Такие физические процессы являются определяющими для свойств мультизеренных и мультикри-сталлических структур, которые могут быть использованы в газовых и оптических сенсорах, источниках и приемниках дальнеинфракрасных излучений. В данной работе, в продолжение предыдущих публикаций [7][8][9], исследовано явление инжекции эмиссионных электронов в субмикрон-ные зерна наиболее применяемых полупроводников -кремния Si, арсенида галлия GaAs, арсенида InAs и антимонида InSb индия. Изу-чены процессы транспорта электронов в двух вариантах: в эмиссионно-туннельном локальном контакте с нанозазором микрозонд−микрозерно поверхности полупроводника (вариант СТМ) и вакуумной триодной структуре термокатод-сетка-анод с мультизеренным анодным слоем (вариант ВТС).…”

“…Изу-чены процессы транспорта электронов в двух вариантах: в эмиссионно-туннельном локальном контакте с нанозазором микрозонд−микрозерно поверхности полупроводника (вариант СТМ) и вакуумной триодной структуре термокатод-сетка-анод с мультизеренным анодным слоем (вариант ВТС). Методики подготовки образцов и измерений характе-ристик описаны в работах [7,8]. Использованы монокристаллические подложки электронной проводимости с финишной обработкой алмаз-ным порошком АМП1 для InAs, InSb и GaAs и химико-механической полировкой (ХМП) для Si и GaAs.…”