Инжекция Эмиссионных Электронов В Мультизеренной Наноструктуре Полупроводников

Abstract

Методами аппроксимации экспериментальных ВАХ исследован механизм инжекции эмиссионных электронов и сделан вывод о том, что инжекция в монокристаллическую и мультизеренную полупроводниковые структуры может быть описана одной физической моделью, состоящей в туннельном преодолении электронами поверхностного барьера и диффузионно-дрейфовом транспорте неравновесных электронов в полупроводнике. Определяющей закономерно-стью ВАХ является степенная зависимость с показателями степени от 2 до 4. Анализ ВАХ позволяет оценить произведение величин подвижности и диффузионной длины неравновесных электронов. Результаты могут быть использованы в исследованиях и при разработках мультизеренных структур для газовых и оптических сенсоров, приемников и излучателей инфракрасного и терагерцевого диапазонов.

Особенности Свойств Полупроводников А-=sup=-Iii-=/Sup=-В-=sup=-v-=/Sup=- В Мультизеренной Наноструктуре

“…Основными были измерения вольт-амперных харак-теристик (ВАХ) на структурах в трех вариантах: в эмиссионно-туннельном локальном контакте с наноза-зором микрозонд−микрозерно поверхности полупровод-ника (вариант СТМ), в мультизеренной слоистой струк-туре (МСС) и вакуумной триодной структуре термо-катод−сетка−анод с мультизеренным анодным слоем (вариант ВТС). Методики подготовки образцов и изме-рений характеристик описаны в наших работах [11,12].…”

“…СТМ-исследование инжекции из микрозонда в полупро-водник с " легкими" электронами при аппроксимации формулой (2) позволяет определить параметры транс-порта электронов в полупроводнике и его физический механизм. Наши исследования показали [11], что в узкозонных полупроводниках с " легкими" электронами наблюдается сублинейная зависимость ВАХ по форму-ле (2), что может означать наличие ограничения тока зарядом (ТОПЗ), подобно тому, как это происходит в широкозонных полупроводниках [15]. Объяснение этого явления возможно, если предположить, что в объеме по-лупроводника есть локализация электронов, влияющая на параметры µ и L в формуле (2) и соответственно на процесс транспорта неравновесных электронов.…”

Механизмы Тока В Слоях Электроосажденных Субмикронных Полупроводниковых Частиц

“…При таких размерах электроны испытывают эмиссию из зерна в зазор и инжекцию из зазора в зерно. Эти процессы исследованы нами на отдельных зернах с использованием метода сканирующей туннельной микроскопии [9][10][11]14,15].…”

Синтез И Свойства Больших Квантовых Точек Антимонида Индия

“…Их различие определялось разницей в параметрах аппроксимации, которые связаны с долей падения напряжения на КТ, определяемой сопротивлением КТ, зависящим от ее размера. Линейный характер ВАХ в координатах ln I−V может свидетельствовать об эмиссионном характере тока [12], в координатах ln I− ln Vоб инжекции электронов в КТ и токе, ограниченном пространственным зарядом [13].…”