Исследование Квантовых Точек В Мультизеренном Слое Планарно-Торцевой Микроструктуры

Abstract

Quantum dots (QDs) of Cds, PbS, and InSb semiconductors in a multi-grain layer of planar-edge microstructure were studied. A model of the ordered arrangement of CT in the micro-gap structure and the flow of current along the lines of parallel arrangement of QD is proposed. Electronic transport at low voltage values (less than 8 V) is determined by thermal and tunnel emission from the QD into the gap, at high values - by the charge restriction in the QD according to the Coulomb block model. A strong influence of IR and UV radiation on the VAC was found.

Одноэлектронный Эмиссионно-Инжекционный Транспорт В Микроструктуре С Коллоидными Квантовыми Точками Узкозонных Полупроводников

“…Исследованы свойства ансамблей квантовых точек в микроструктуре, описанной в нашей работе [11]. Измерения ВАХ проводились с использованием нестандартного генератора однополярного низкочастотного импульсного " пилообразного" напряжения.…”

“…Исследования ВАХ ансамблей КТ в планарноторцевой микроструктуре показали схожесть с моделями электронного транспорта одиночных КТ [11]. Отличия, однако, заключаются в том, что при переносе электрона в последовательно-параллельной цепочке наночастиц ансамбля возможен токовый отбор пар КТ с минимальной величиной зазора для параллельной локальной части цепочки и максимальной -для последовательной.…”

“…В нашей работе, в продолжение [10,11], в более широком аспекте образцов, измерений и анализа исследованы свойства одноэлектронного транспорта в микроструктурах двух вариантов с коллоидными квантовыми точками Н.Д. Жуков, М.В.…”

Особенности Излучательных Свойств Квантово-Размерных Частиц Узкозонных Полупроводников

“…В этом случае необходимы другие варианты возбуждения. Мы использовали вариант эмиссионно-инжекционного механизма в мультизеренной микроструктуре, описанный в наших работах [12,13]. Под действием приложенного к микроструктуре поля электрон в возбужденном состоянии претерпевает эмиссию из той или иной QP в нанозазор, а затем -инжекцию в соседнюю QP, в которой он переходит в невозбужденное состояние.…”

“…Были взяты два одинаковых образца QP-InSb, изготовленных по методу, описанному в нашей работе [13], из которых один выполнял роль излучателя, а другой -приемника. На излучатель подавали постоянное питающее напряжение V = , а на приемнике измеряли ВАХ методом, описанным в [13].…”