Zur Beweglichkeit der Stromträger in Indiumantimonidkristallen

Abstract

Zur Untersuchung des Streumechanismus für die Elektronen wurde die Beweglichkeit an n‐leitenden InSb‐Kristallen im Temperaturbereich von 77 bis 773 °K und bei Störstellenkonzentration von 1015 bis 7 · 1018 cm−3 gemessen. Die erhaltenen Ergebnisse werden mit theoretischen Überlegungen, die die nichtparabolische Form des Leitungsbandes berücksichtigen, verglichen. Die Ergebnisse zeigen, daß die Elektronen im n‐leitenden InSb an ionisierten Störstellen, optischen Gitterschwingungen und Löchern gestreut werden. Der Einfluß einer Streuung an akustischen Gitterschwingungen wird für verschiedene Werte der Deformationspotential konstanten diskutiert. Für die Elektronenbeweglichkeit bei gemischter Streuung (an ionisierten Störstellen, optischen Gitterschwingungen und Löchern) wird eine exakte Beziehung hergeleitet. Der Gültigkeitsbereich der verwendeten Näherungsformeln wird überprüft. Für das anomale Anwachsen des Hallkoeffizienten bei hohen Temperaturen in stark dotierten Proben werden mehrere Gründe angeführt.

Scattering of Electrons by the Deformation Potential in Doped InSb

“…We calculated p(n) for the same conditions hut lfll = 30 elT (curve 2 ) . One can see that curve 2 is in better agreement with the experimental points than curve 1 though the sensitivity of the procedure of determining Only for the temperatures 500 and 773 R a good accordance of the curves p(.n) calculated for jcl( = 15 eV with the experimental ones [5] was obtained by Zawadzki and Szymanska. But they believed the temperature dependence of E~ and m, is due only to lattice dilatation, i.e.…”

“…Nevertheless considering these data Zawadzki [ 3 ] asserts that "the above picture seems to settle the fifteen-year old controversy on the relative role of various scattering modes in In&" (in favour of lclj = 14.6 eV). To decide upon IF^/ = 14.6 eV the authors of [ Z , 31 neglected the data [5 to 71, while at higher temperatures they compared their computations just with the results of [5]. The sensitivity of the above procedure to determine el from mobility is not high.…”

On the Mixed Mechanism of Electron Scattering in InSb Crystals

“…Using the formulae (1 t o a), and also the results of our paper [ 2 ] , it is rather easy to get the formulae for the thermal e.m.f. in the case of different mixed electron-scattering mechanisms.…”

“…The experimental results are compared with theoretical calculations made on the basis of different mixed electronscattering mechanisms. ' The electron mobility calculations were made according t o the formulae given in [2]. Fig.…”

“…The analysis of the dependence of electron mobility on temperature and impurity concentration suggests a mixed mechanism of electron scattering in InSb (scattering by impurity ions, optical phonons, and holes [2]). Thermal e.m.f.…”