Untersuchung von pn‐Übergängen mit und ohne Oxidschicht mittels Elektronenspiegelmikroskopie in Schattenabbildung

Abstract

Fiir die Abbildung der Proben setzt die Kontrastubersteuerung eine Grenze, die theoretisch und durch Aufnahmen demonstriert wird. Der Kontrast der pn-tfbergange mit Oxidschicht im Bild in Abhangigkeit von der Objektspannung wird mittels ~quipotentialfliichenmodell diskutiert. Der Kontrast von pn-Ubergangen ohne Oxidschicht im Bild in Abhangigkeit von der Querspannung wird mit Fotometerkurven und durch Rechnung demonstriert. Es wird die Aufnahme einer kreisformigen, positiven Aufladung gezeigt, deren Kontrast eine gute ubereinstimmung mit den Rechnungen von LENZ und KRIMYEL besitzt. The contrast distortion is the limit for the investigation of the samples. This effect is discussed theoretically and experimentally. The contrast of pn-junctions covered with oxide layers is demonstrated as a function of the bias voltage and by a model of the equipotential surfaces. The contrast of pn-junctions without oxide layers is demonstrated theoretically by a model of a voltage step and experimentally by curves of the photometer. The picture of a circular positive charge shows a good conformity with a theory from LENZ and KRIYMEL.