Über die Halbleitereigenschaften des Kupferoxyduls. III Die Abhängigkeit der spezifischen elektrischen Leitfähigkeit bei tiefer Temperatur vom Sauerstoffdruck einer vorhergehenden Temperung

An Kupferoxydulproben werden Leitfähigkeitsmessungen innerhalb des Existenzgebietes vorgenommen. Es wird festgestellt, daß die früher gefundene Gesetzmäßigkeit nur bei Sauerstoffdrucken größer als etwa 10−2 Torr gilt. Vermutlich ist die Ursache für die bei tiefen Drucken beobachtete Abweichung aut eine Art von Eigenleitung zurückzuführen, die bei höheren Drucken durch die Störstellenleitung verdeckt wird.

Über die Halbleitereigenschaften des Kupferoxyduls. IV Leitfähigkeitsmessungen bei hohen Temperaturen

Böttger

1952

Über die Halbleitereigenschaften des Kupferoxyduls. V Zur Deutung der Temperungsdruckabhängigkeiten der elektrischen Leitfähigkeit bei tiefen Temperaturen

Blankenburg

Böttger

1952

In haltsli bersichtUnter 13eriicksichtigung der verschiedenen Einflusse der Abkuhlung auf die h i tfiihigkeit des Cu,O wird ein Schema gewonnen, in dem sich die neuerdings beobachteten Temperungsdruckabhangigkeiten ablesen laasen. Der Zusammenhang mit anderen, z. T.alteren MeBergebnissen wird erlautert. Die zur Diskussion stehonden FaktorenWir sind nicht der Meinung, dall die Ergebnisse der 111. 3litteilung dieser Veroffentlichungsreihea) im Rahmen einer auch nur einigermallen einfachen Modelllmtrachtung quantitativ deutbar sein werden. Es sol1 daher versucht werden zu zeigen, dall die Beobachtungen wenigstens qualitativ mit bekannten Erscheinun~en in Verbindung und Zusammenhang gebracht werden konnen.i n der 111. Mitteihng 2) wurde aus den experimentellen Ergebnissen geschlosscn, ditB die Abkiihlungsbedingungen einen entscheidenderi Einfluf3 auf die Gestalt der Abhangigkeit der bei tiefer Temperatur gemessenen elektrischen Leitfahigkeit vom Sauerstoffdruck der vorhergehenden, im Existenzgebiet durchgefiihrten Temperung (vgl. I. Mitteilungs)) haben. Aus der IV. Mitteilung 4) kann entnommen werden, dal3 bei hohen Temyeraturen die Sauerstoffdruckabhangigkeit der J,eit.fiihigkeit unseres Kupferoxyduls in ubereinstimmung mit den Messungen von C. Wagner und Hitarbeitern5)6) gefunden wurde, wobei freilicli einige Ergaimingen notig waren. Wenn wir nun versuchen wollen, die Ergebnisse der 111. und tier IV. Mitteilung miteinander in Einklang zu bringen, dann miissen wir die verwhiedenen Faktoren, die hei der Ahkiihlung einer Cu,O-Probe nacli der Temperling 1) Der Grundgedanke zu diem Arbeit ist einer Diplomarbeit der Mathematisch-Naturwissenschaftlichen Fakultiit der Martin-Luther-Univeritiit Halle-Wittenberg entnommen.

Über die Halbleitereigenschaften des Kupferoxyduls. VI. Die Temperaturabhängigkeit der elektrischen Leitfähigkeit bei Temperaturen zwischen + 20° C und −190° C

Blankenburg

Schubart

1953

Wenn der Logarithmus der Leitfähigkeit von Cu2O über der reziproken absoluten Temperatur (+20° C bis −190° C) aufgetragen wird, erhält man eine Abhängigkeit, die am besten durch Aneinanderreihen von Geradenstücken interpoliert werden kann. Die Temperaturen bei denen die Knicke, an denen diese Geradenstücke zusammengesetzt sind, auftreten, zeigen gewisse Beziehungen zur Vorbehandlung der Probe. An einem Teil der Ergebnisse läßt sich zeigen, wie die „Ablösearbeiten”︁ c und die Werte für χ0 von dem Sauerstoffdruck einer vorhergehenden Temperung abhängen.