Über die Halbleitereigenschaften des Kupferoxyduls. V Zur Deutung der Temperungsdruckabhängigkeiten der elektrischen Leitfähigkeit bei tiefen Temperaturen

Abstract

In haltsli bersichtUnter 13eriicksichtigung der verschiedenen Einflusse der Abkuhlung auf die h i tfiihigkeit des Cu,O wird ein Schema gewonnen, in dem sich die neuerdings beobachteten Temperungsdruckabhangigkeiten ablesen laasen. Der Zusammenhang mit anderen, z. T.alteren MeBergebnissen wird erlautert. Die zur Diskussion stehonden FaktorenWir sind nicht der Meinung, dall die Ergebnisse der 111. 3litteilung dieser Veroffentlichungsreihea) im Rahmen einer auch nur einigermallen einfachen Modelllmtrachtung quantitativ deutbar sein werden. Es sol1 daher versucht werden zu zeigen, dall die Beobachtungen wenigstens qualitativ mit bekannten Erscheinun~en in Verbindung und Zusammenhang gebracht werden konnen.i n der 111. Mitteihng 2) wurde aus den experimentellen Ergebnissen geschlosscn, ditB die Abkiihlungsbedingungen einen entscheidenderi Einfluf3 auf die Gestalt der Abhangigkeit der bei tiefer Temperatur gemessenen elektrischen Leitfahigkeit vom Sauerstoffdruck der vorhergehenden, im Existenzgebiet durchgefiihrten Temperung (vgl. I. Mitteilungs)) haben. Aus der IV. Mitteilung 4) kann entnommen werden, dal3 bei hohen Temyeraturen die Sauerstoffdruckabhangigkeit der J,eit.fiihigkeit unseres Kupferoxyduls in ubereinstimmung mit den Messungen von C. Wagner und Hitarbeitern5)6) gefunden wurde, wobei freilicli einige Ergaimingen notig waren. Wenn wir nun versuchen wollen, die Ergebnisse der 111. und tier IV. Mitteilung miteinander in Einklang zu bringen, dann miissen wir die verwhiedenen Faktoren, die hei der Ahkiihlung einer Cu,O-Probe nacli der Temperling 1) Der Grundgedanke zu diem Arbeit ist einer Diplomarbeit der Mathematisch-Naturwissenschaftlichen Fakultiit der Martin-Luther-Univeritiit Halle-Wittenberg entnommen.