Tunnel résonnant et effets d'électrons chauds dans les structures à double barrière : synthèse

Abstract

Des progrès remarquables ont été faits dans les caractéristiques des doubles barrières à tunnel résonnant en raison des améliorations des techniques d'épitaxie des structures à modulation de matériau. Ceci a été à l'origine de très nombreuses études tant sur les propriétés dynamiques et statiques que sur de nouveaux composants. Dans cet article, nous nous proposons de faire le point sur ce sujet, sur la base des études physiques, permettant de comprendre, de caractériser et d'optimiser les hétérostructures à double barrière. Nous montrons que, relativement aux applications composants, il est nécessaire de prendre en compte des aspects plus spécifiques tels que la réaction de charge d'espace. Enfin, nous considérons les effets d'électrons chauds, souvent indissociables des effets tunnel

Resonant tunnelling light-emitting diodes

“…The effect of the electrical field on both the transmission probability and the interband transition energy of an rts can be obtained by solving the Schrodinger equation for a double-barrier structure with linearly varying band edges (figure 4). Lippens (1989) showed that a plane wave approach introduces little error with respect to the Airy-function solution of the Schrddinger equation.…”