Some Recent Advances in Contactless Silicon Characterization

Abstract

Contactless measurements are attractive because they do not contaminate the sample and generally do not require extensive sample preparation. It is for these reasons that they are more commonly used. We will discuss mainly methods for material but some for device characterization and point out the advantages of these methods and also indicate their short-comings.

О Динамических Характеристиках Неровновесных Носителей Заряда В Кремниевых Пластинах

“…Стандартные образцы с известным временем жизни и размерами, рекомендованными в международном стандарте [21], могут быть оптимальными при использования их для калибровки и поверки как контактных, так и бесконтактных средств измерения этого параметра. Но при этом необходимо четко регламентировать процедуру расчета эффективного времени жизни, пересчета его в объемное, или условия измерения, при которых эти параметры совпадают [22][23][24][25]. The article is devoted to the presentation and discussion of the primary results of an experimental study of the possibility of using the modern "transient photoconductance method" and "non-contact quasi steady state photoconductivity method" for a more accurate, accelerated and non-destructive determination of the lifetime of charge carriers in silicon wafers, intended as a base material for the manufacture of high-speed p-n-microelectronic devices and highperformance solar cells.…”