Статья посвящена представлению и обсуждению первичных результатов экспериментального исследования возможности применения современных «переходного метода» и «метода бесконтактной квазистационарной фотопроводимости» для более точного, ускоренного и неразрушающего определения времени жизни носителей заряда в кремниевых пластинах, предназначенных в качестве базового материала для изготовления быстродействующих р-п-приборов микроэлектроники и высокоэффективных солнечных элементов. Показано, что метод квазистационарной фотопроводимости основывается на следующих принципах: освещение объекта исследования длительным, медленно затухающим импульсом света; одновременное измерение поверхностной проводимости образца и интенсивности падающего света как функций времени; определение уровня генерации электронно-дырочных пар в полупроводниковом материале по измеренному значению интенсивности падающего света в каждый момент времени; определение квазиравновесной концентрации носителей заряда, исходя из измеренного значения поверхностной проводимости в каждый момент времени; расчет эффективного времени жизни неосновных носителей заряда в приближении квазиравновесия.
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.
hi@scite.ai
10624 S. Eastern Ave., Ste. A-614
Henderson, NV 89052, USA
Copyright © 2024 scite LLC. All rights reserved.
Made with 💙 for researchers
Part of the Research Solutions Family.