Reduced pressure–chemical vapor deposition of high Ge content Si1−xGex and high C content Si1−yCy layers for advanced metal oxide semiconductor transistors

Влияние атомарных пучков кремния и германия на кинетику роста слоев Si-=SUB=-1-x-=/SUB=-Ge-=SUB=-x-=/SUB=- в методе Si-GeH-=SUB=-4-=/SUB=- молекулярно-пучковой эпитаксии

“…44250.1925 Введение В последние годы в связи с успехами Si−Ge-электро-ники наблюдается повышенный интерес как к совершен-ствованию технологии выращивания гетероэпитаксиаль-ных структур, так и к созданию физико-химических и математических моделей, адекватно описывающих ро-стовой процесс. Большинство работ по выращиванию на-пряженных Si(Ge)−SiGe-гетероструктур для различных приложений выполняется сегодня с применением газо-фазной (CVD) техники при пониженном (LPCVD) [1,2] либо ультранизком (UHVCVD) [3][4][5] давлении газов в реакторе. В качестве источников молекулярных пото-ков наиболее широко применяются источники моно-и дигидридов Si и Ge, обеспечивающих возможность проведения эпитаксии при пониженных температурах.…”

“…В качестве источников молекулярных пото-ков наиболее широко применяются источники моно-и дигидридов Si и Ge, обеспечивающих возможность проведения эпитаксии при пониженных температурах. Гидридный метод эпитаксии благодаря присутствию во-дорода в реакторе [6] позволил решить ряд принци-пиальных проблем гетероэпитаксиальной технологии и, в частности, проблему выращивания совершенных пла-нарных слоев германия на кремнии как для устройств быстродействующей транзисторной электроники [1], так и оптоэлектроники [2]. Низкая скорость роста слоев ме-нее V gr < 1 nm/min при температурах ниже 500…”

“…Для ускорения процесса пиролиза газов в реакторе установки в настоящее время предложены и используются разно-образные методы. Наиболее распространенными из них являются повышение давления рабочих газов в реак-торе, т. е. переход к технологиям проточного типа при пониженном давлении [2], либо использование метода " горячей проволоки" [7]. Суть последнего состоит в помещении перед подложкой разогретого до высокой температуры элемента, например вольфрамовой прово-локи, выступающей в качестве источника формирования в методе химической эпитаксии дополнительных атомар-ных потоков [8].…”

“…Из приведенной таблицы видно, что незначительные изменения исходных, задаваемых условиями экспери-мента, параметров системы (T gr , T source , P GeH 4 ) не приво-дят к заметному разбросу поверхностных концентраций адатомов кремния и молекул гермила, что говорит о стабильности от опыта к опыту потоков F 1 (2) , определя-емых температурой Si-источника и давлением германа в реакторе. Наблюдаемый заметный разброс от образца к образцу как среднего состава пленки, так и среднего значения скорости ее роста, вероятнее всего, связан с отклонениями от среднего значения произведения SF 1 , что можно связать с высокой чувствительностью коэф-фициента захвата S 1 к составу сплава x s на поверхности растущего слоя.…”

Growth of SiGe/Si superlattices on silicon-on-insulator substrates for multi-bridge channel field effect transistors

“…We have used data points coming from Refs. [17] and [21] to plot as a function of the growth temperature the SiGe growth rate and the Ge concentration associated to layers grown on bulk Si(0 0 1) (see Fig. 5).…”