Persistent photoconductivity in semiconducting III–V compounds

Abstract

SrBi 2 Ta 2 O 9 ) 1−x (Bi 3 TiNbO 9 ) x ((SBT) 1−x (BTN) x ) bulk ceramic was fabricated by the conventional solid state reaction. The samples were characterized in terms of the structural, dielectric, ac conductivity, and ferroelectric properties. The solid solution samples exhibited improved electrical properties compared to end members SBT and BTN. The Curie temperature of the solid solution was found to increase linearly with increasing BTN content. The solid solution samples exhibited lower conductivity than the end members SBT and BTN. The solid solution showed higher remanent polarization, but higher coercive field than SBT. The present results indicate that the (SBT) 1−x (BTN) x solid solution may be a useful SBT-based material for FRAM applications.

Deep-ultraviolet photodetectors from epitaxially grown NixMg1−xO

“…[20][21][22] Persistent photoconductivity was observed in these films by the authors previously and is found to be reduced with proper growth conditions ͑in general, higher substrates temperatures and reduced growth rates͒ and postgrowth treatment not discussed here. [20][21][22] Persistent photoconductivity was observed in these films by the authors previously and is found to be reduced with proper growth conditions ͑in general, higher substrates temperatures and reduced growth rates͒ and postgrowth treatment not discussed here.…”

PHOTOELECTRICAL AND PIEZOOPTICAL PROPERTIES OF Cu1-xZnx InS2 SOLID SOLUTIONS

“…% ZnIn 2 S 4 , з яких видно, що ре-лаксаційні процеси є складними та довготри-валі. Напівпровідники, в яких спостерігається довготривала релаксація, використовуються як матеріали для створення довгорелаксуючих фоторезисторів та елементів фотопам'яті [16]. Крім того, дослідження релаксації фотопро-відності є одним із найбільш інформативних методів щодо визначення параметрів локалізо-ваних станів в забороненій зоні напівпровід-ника та часу життя вільних носіїв заряду [17,18].…”

“…Крім того, дослідження релаксації фотопро-відності є одним із найбільш інформативних методів щодо визначення параметрів локалізо-ваних станів в забороненій зоні напівпровід-ника та часу життя вільних носіїв заряду [17,18]. Згідно [16,19], на даний час існує дві осно-вні, доповнюючі одна одну, моделі процесів довготривалої релаксації фотопровідності. Слід відмітити, що в більшості випадків роз-ділення механізмів релаксації, які охоплюють обидві моделі, є досить складним завданням.…”

Photoconductivity relaxation processes in Cu1−xZnxInS2 solid solutions

“…Semiconductors, in which the long-lasting relaxations of photoconductivity appear, are widely used as materials for the slow-relaxing photoresistors and photomemory systems [9]. Moreover, study of the photoconductivity and its relaxations is one of the most used methods for determining parameters of the localized states in the band gap, as well as the nonequilibrium charge carrier lifetimes [10,11].…”