p and n type doping of cubic GaN on SiC (001)

Martinez-Guerrero, E.; Daudin, B.; Feuillet, G.; Mariette, H.; Genuist, Y.; Fanget, S.; Philippe, Anne; Dubois, C.; Bru‐Chevallier, C.; Guillot, G.; Nze, P. Aboughe; Chassagne, Thierry; Monteil, Y.; Gamez-Cuatzin, H.; Tardy, J.

doi:10.1016/s0921-5107(00)00719-4

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“…These considerations show that Si and O may be the elements most appropriate for n-type doping of GaN. Doping of MBE grown c-GaN by Si was reported by As et al [50], Martinez-Guerrero [51] and Li et al [52]. Elemental Si was evaporated from an effusion cell at source temperatures between 750 °C and 1200 °C.…”

Section: N-type Dopingmentioning

confidence: 96%

“…However, Mg is subjecte to several disadvantages like self-compensation, segregation and solubility effects, which limit the usually reported doping efficiency of Mg in hexagonal GaN to maximum hole concentrations in the upper 10 17 cm -3 [43]. Doping experiments were less extensively reported in cubic GaN [62][63][64] and were mostly concentrated on Mg [9,51,[65][66][67][68]. Results of Be doping were quite disappointing since no p-type conductivity could be achieved [69], however.…”

Section: P-type Dopingmentioning

confidence: 99%

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Molecular beam epitaxy of cubic III‐nitrides on GaAs substrates

Schikora

Lischka

2003

phys. stat. sol. (c)

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Molecular beam epitaxy has successfully been used to grow crystalline layers of group III-nitrides (GaN, AlN and InN) with cubic (zinc-blende) structure on GaAs substrates. In this article, we discuss these efforts that, despite inherent difficulties due to the metastability of the c-III nitrides, led to substantial improvements of the structural, electrical and optical quality of these wide gap semiconductors. We review experimental work concerned with the epitaxy of c-GaN and the control of the growth process in-situ, the important issue of p-and n-type doping of c-GaN and investigations of the structural and optical properties of c-InGaN and c-AlGaN.

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Section: N-type Dopingmentioning

confidence: 96%

Section: P-type Dopingmentioning

confidence: 99%

Molecular beam epitaxy of cubic III‐nitrides on GaAs substrates

Schikora

Lischka

2003

phys. stat. sol. (c)

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“…Emission in this region of the spectrum has been attributed to inclusions of wz-GaN in the epilayer [12][13][14]18,24,29 .…”

Section: A Experimental Resultsmentioning

confidence: 94%

“…The phase purity and structural quality of the zb-GaN can be assessed via Xray diffraction (XRD) [23][24][25][26] , Raman spectroscopy 23,24 and high-resolution transmission electron microscopy (HR-TEM) 16,27,28 . The presence of wz-GaN in zb-GaN epilayers has been seen to result in narrow peaks or a broad emission band in the low temperature photoluminescence (PL) spectrum at energies between the bandgaps of zb and wz-GaN [12][13][14]18,24,29 . Recent work on a sample of zb-GaN grown on 3C-SiC reported the observation of a broad emission that encompasses the bandgaps of zb and wz-GaN and extending as far as 3.6 eV.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Effect of stacking faults on the photoluminescence spectrum of zincblende GaN

Church

Hammersley

Mitchell

et al. 2018

Journal of Applied Physics

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The photoluminescence spectra of a zincblende GaN epilayer grown via metal-organic chemical vapour deposition upon 3C-SiC/Si (001) substrates were investigated. Of particular interest was a broad emission band centered at 3.4 eV, with a FWHM of 200 meV, which extends above the bandgap of both zincblende and wurtzite GaN. Photoluminescence excitation measurements show that this band is associated with an absorption edge centered at 3.6 eV. Photoluminescence time decays for the band are monoexponential, with lifetimes that reduce from 0.67 ns to 0.15 ns as the recombination energy increases. TEM measurements show no evidence of wurtzite GaN inclusions which are typically used to explain emission in this energy range. However, dense stacking fault bunches are present in the epilayers. A model for the band alignment at the stacking faults was developed to explain this emission band, showing how both electrons and holes can be confined adjacent to stacking faults. Different stacking fault separations can change the carrier confinement energies sufficiently to explain the width of the emission band, and change the carrier wavefunction overlap to account for the variation in decay time.

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“…Já como material semicondutor, a dificuldade no controle da dopagem foi superada. Amostras tipo n e tipo p com ampla gama de concentração de portadores foram demonstradas na literatura [16]. Transistores de pesquisa do tipo HEMT já foram desenvolvidos com base no material cúbico [17].…”

unclassified

Caracterização estrutural e magnética de amostras de c-GaN implantadas com Fe, Mn e Cu

Righetti¹

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A man is rich in proportion to the number of things he can afford to let alone.− Henry David Thoreau AgradecimentosAos meus pais, principalmente pelo apoio incansávelà minha educação sem o qual este trabalho jamais existiria, e ao meu irmão também pelo apoio e por existir.Ao prof. Valmir Chitta, pela orientação, incentivo, paciência, e também pela introduçãoà está area fascinante do conhecimento.Aos profs. Klaus Lischka, Donat As, Detlef Schikora da U.Paderborn -Alemanha e Marcio Peron do DF-UFSCar, pelo crescimento das amostras de c-GaN/3C-SiC estudadas, e também ao prof. Marcio por tantas outras coisas: auxílio no SQUID, PL, Raman, mapas e também pelas muitas ideias e teorias discutidas e presentes neste trabalho.Ao prof. Ariano Rodrigues pelo auxílio no equipamento e pelas discussões dos dados de Raman.Ao prof. Eduardo Abramof e ao Dr. João Paulo Machado pelo auxílio nos difratrômetros de raios-x do INPE e também pelas discussões.Ao chef Dr. Xavier Gratens por me ensinar quase tudo que sei sobre análise de dados magnéticos e operação de um SQUID, parte tão importante deste trabalho, e também pela realização de algumas medidas.Ao Me. Sérgio Romero pelos tratamentos térmicos em doses homeopáticas e ao LMM pelo uso do forno.Ao prof. Johnny Dias pela realização das implantações e pela confiança depositada no trabalho em um momento crítico.A minha mina Dra. Paula Galgano pela alegria cotidiana, correção do texto e por me ensinar.A todos os estudantes que eu tive o prazer de conhecer e também conviver com nestes onze anos de USP, em especial ao Dr. Giovanni Galgano pelas discussões e companhia.Aos funcionários da USP pela solicitude; acima de tudo, em especial aos funcionários do DFMT e também da CPG pelo auxílio nos difíceis trâmites burocráticos.Ao prof. Mario de história do Brasil no colégio Liceu Santa Cruz (será, ainda?) por despertar meu interesse na vida acadêmica.A CAPES e CPG-IFUSP pelo apoio financeiro eà USP pelo apoio material.A CUASO, por ser o lugar maravilhoso queé e espero que continue sendo.Ao contribuinte paulista e brasileiro, o meu sincero muito obrigado. . Com a implantação deíons magnéticos buscou-se a criação de um semicondutor com resposta ferromagnética acima da temperatura ambiente, enquanto que com a implantação doíons não magnéticos buscouse, principalmente, um maior entendimento sobre a influência de defeitos da rede cristalina sobre o magnetismo do material. Posteriormenteàs implantações e com o intuito de recuperar a rede cristalina das amostras danificada pelo processo, as amostras foram submetidas a tratamento térmico. Após cada um destes processos as amostras foram caracterizadas estruturalmente, através de medidas de difração de raios-x, espectroscopia de fotoluminescência e espectroscopia Raman e também magneticamente utilizando-se um SQUID. Conseguiu-se a caracterização quantitativa das transformações da rede cristalina pré e pós tratamento térmico com as diferentes técnicas. Foi observado comportamento ferromagnéticoà temperatura ambiente em amostras dopadas com os diversosíons...

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p and n type doping of cubic GaN on SiC (001)

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Molecular beam epitaxy of cubic III‐nitrides on GaAs substrates

Effect of stacking faults on the photoluminescence spectrum of zincblende GaN

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