Modeling of Polycrystalline Silicon Structures for Integrated Circuit Fabrication Processes

Mei, Len; Dutton, R.W.; Hansen, Stephen

doi:10.1007/978-94-009-6842-4_7

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“…On s'aperçoit alors que la distribution gaussienne donnée par les théoriciens donne des résultats peu satisfaisants. La densité de probabilité suivant x, soit Px, est donc obtenue empiriquement : le profil de bore est bien simulé par une Peason IV modifiée d'une queue exponentielle [1,12,13], celui de l'arsenic, du phosphore et de l'antimoine par une bi-gaussienne [1,17].…”

Section: Introductionunclassified

Présentation et validation du programme OSIRIS de simulation bidimensionnelle des processus technologiques

Guillemot¹,

Chenevier²,

Deroux-Dauphin

et al. 1984

Rev. Phys. Appl. (Paris)

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Nous présentons le programme bidimensionnel de simulation des processus technologiques, OSIRIS. Les modèles utilisés pour l'implantation ionique, la croissance d'oxyde et la redistribution des dopants sont d'abord développés. Nous décrivons d'autre part la méthode de résolution de l'équation de diffusion par différences finies. Pour terminer, une comparaison est faite entre des profils de bore obtenus par simulation et des profils expérimentaux à deux dimensions mesurés par EBIC

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Section: Introductionunclassified