The purposes of this paper are to discuss the possibilities of HVEM in-situ observation for deriving meaningful results on basic deformation processes by illustrating some examples which have been obtainecl so far and to assess the capabilities of this method to investigate crystal deforniation as well as other dynamic processes. First, the experimental procedures tleveloprrl by our group in Nagoya to study the tlynarnic behaviour of dislocations are introduced. Research subjects which have been studied effectively by this method so far are illustrated. The lower safety limit of s p e~h i e n thickness for deriving information typical of bulk materials, the effects of size ancl free surfaces of a specimen and the effects of electron irradiation etc. are to be discusfit-(1 to aesess the validity of in situ observation of dislocation behaviours. Some prospects on new applications and extensions of in-situ HVEM for physical and niaterials research are to be presented, including possibilities for in-situ observation of other subjects such as diffusion, environititmtcal effects, interface reaction, c-hernicd reaction, clefect formation during growing or processing of seini-c.onductors, surfwe treatment ant1 micro fabrication by electron beam rtc.Die Mliglichkeiten cler In-sitii-Hlichstspannungs-Elektronenmik~skopie bei der Untersuchung von Deforniationsprozessen werden anhand von Beispielen erliiutert. Die Verwendbarkeit dieser Methode fur die Untersuchung der Deformation von Kristallen und fur andere dynamische Prozesse wird untersucht. Die in Nagoya fur die Beobachtung des tlynamischen Verhaltens von Versetzungen entwickelten Verfahren werden vorgestellt, und die bisher mit diesem Verfahren untersuchten Themen werden diskutiert. Die Mindestprobendicke, bei der die Gewinnung von Informationen, die fur des Vollmaterial typisch sind, noch moglich ist, sowie die Einflusse der Gro13e und der freien Oberfliiche einer Probe und auch der Elektronenbestrahlung werden hinsichtlich der Gultigkeit der In-situBeobachtungen des Versetzungsverhaltens abgeschiitzt. Es werden einige neue Anwendungen und Erweiterungen der In-situ-Hochstspannungs-Elektronenmikroskopie auf dem Gebiet der physikalischen und der Materialforschung angegeben, einschlieSlich der Moglichkeiten der In-situ-Beobachtungen anderer Themen wie z. B. Diffusion, EinfluS der Umgebung der Probe, Interface-Reaktionen, chemische Reektionen, Bildung von Defekten wahrend der Zuchtung und der Verarbeitung von Halbleitern, Oberfliichenbehandlung und Elektronenstrahl-Mikrobearbeitung.