Electromigration and diffusion of copper in aluminum thin films

Abstract

Using an original radiotracer sectioning technique, we have measured the drift mobility, the diffusion coefficient, and the effective valency of copper in aluminum thin films in the temperature range lOO-lSO·C. The results are interpreted in view of the considerable increase of the lifetime of the electrical contacts on silicon substrates by doping aluminum with copper.

Mesure directe de l'électromigration sur des couches métalliques à l'aide de traceurs radioactifs

“…On peut alors faire appel au marquage par des isotopes radioactifs dont le transport est suivi par les techniques radioactives [6,11 ]. Citons parmi celles-ci le découpage mécanique avec comptage de la radioactivité de chaque section [10,12] ainsi que le balayage d'un compteur de radioactivité avec un diaphragme adéquat [13,14]. Cependant, ces travaux se rapportent à la mesure du déplacement par électromigration d'atomes de soluté dans des couches métalliques minces.…”