Electrical properties of polycrystalline silicon in the dark and under illumination

Abstract

The electrical resistivity and mobility of polycrystalline silicon are computed in the temperature range 100 to 500 K in dark and under illumination using a carrier trapping model. Computations show that a) there are three regions where with decreasing temperature, the dark resistivity first decreases slightly, then increases (exponentially), and finally saturates at low temperatures, b) the diffusion potential at the grain boundaries is reduced appreciably under illumination, and c) the resistivity under illumination decreases at all temperatures from its dark value for low levels of illumination whereas it saturates if the level of illumination is raised. The predicted results are found to agree reasonably with known experimental findings.

Μελέτη Τρανζίστορ Λεπτού Υμενίου (Πολυκρυσταλλικών Και Οργανικών) Και Σχεδιασμού Κυκλωμάτων Οδήγησης Εικονοστοιχείων

“…Η χρήση του πολυκρυσταλλικού πυριτίου στα φωτοβολταϊκά συστήµατα ήταν αυτό που εκτόξευσε το ενδιαϕέρον της επιστηµονικής κοινότητας σε αυτά και της µελέτης και µοντελοποίησης της συµπεριϕοράς τους υπό την επίδραση ηλιακού φωτός. ∆εκάδες ϑεωρητικές και πειραµατικές µελέτες έχουν δηµοσιευτεί [53,54], [85]- [87], [89], µελετώντας την ευκινησία φορέων µ* στο poly-Si στο σκοτάδι αλλά και υπό φωτισµό, την ταχύτητα και το ϱεύµα ανασύνδεσης [94]- [97], τον χρόνο Ϲωής [56,101], την αγωγιµότητα (1/ρ) [94,98,99,53,100] και την οπτική απορρόϕηση (optical absorption) [57], το φράγµα δυναµικού [61,100,101], την εξάρτηση της φωτο-αγωγιµότητας από τον προσανατολισµό των κρυστάλλων [58], και το ϱεύµα διαµέσου του ορίου του κόκκου [100].…”