Einflu� der Geometrie auf Halleffekt und magnetischen Widerstandseffekt bei rechteckf�rmigen Halbleiterproben

Lippmann, H.; Kuhri, F.

doi:10.1007/bf00621989

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“…For the sample under investigation, d/L ¼ 1.36, and geometrical magnetoresistance should be smaller than that for the Corbino disk. 19 As shown below, the contribution of the geometrical magnetoresistance in our graphene samples is negligible. Figure 1 shows the relative magnetoresistance DR ds /R ds0 as a function of the magnetic field at T ¼ 85 K and T ¼ 285 K in relatively low and high magnetic fields, respectively (Here, R ds0 is the drain to source resistance at B ¼ 0).…”

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The effect of a transverse magnetic field on 1/f noise in graphene

Rumyantsev

Coquillat

Ribeiro-Palau

et al. 2013

Applied Physics Letters

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The low frequency 1/f noise in graphene devices was studied in a transverse magnetic field of up to B = 14 T at temperatures T = 80 K and T = 285 K. The examined devices revealed a large physical magnetoresistance typical for graphene. At low magnetic fields (B < 2 T), the level of 1/f noise decreases with the magnetic field at both temperatures. The details of the 1/f noise response to the magnetic field depend on the gate voltage. However, in the high magnetic fields (B > 2 T), a strong increase of the noise level was observed for all gate biases

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“…The same geometrical magnetoresistance is observed in a rectangular sample with d/L > 3. 19 In weak magnetic fields l 0 B 1, the geometrical magnetoresistance is Dq=q 0 ¼ ðl 0 BÞ 2 . Here, l 0 is the mobility in the zero magnetic field, q is the resistivity, and B is the magnetic field.…”

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The effect of a transverse magnetic field on 1/f noise in graphene

Rumyantsev

Coquillat

Ribeiro-Palau

et al. 2013

Applied Physics Letters

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Influence of external perturbations on the behaviour of stationary electrical domains in gold-doped n-type Ge

Kurova¹,

Vrána²

1971

Phys. Stat. Sol. (a)

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The response of a domain-containing sample of gold-doped n-type Ge t o a weak sinusoidal or rectangular electrical perturbation, a rectangular optical pulse (extrinsic excitation), or a constant transverse magnetic field are studied. It is shown the equivalent circuit consists of the voltage-dependent active resistance Zl( U ) and capacity C( U ) put in series. A possible explanation of the measured dependence Z,( V ) is proposed. The influence of a constant transverse magnetic field on the domain velocity and on the critical values of the electrical field and the current for the instability are investigated. It is shown that the domain is tilted in the magnetic field. The tilting angle is equal t o the Hall angle in weak electrical field outside the domain. HccnenoBaHa peaKuuH o6paaqa n-Ce c ~O J I O T O M c c@opMnpoBaslumcrr anerc~pa-YeCKUM AOMeHOM Ha CAaGLlU IIepeMeHHblB 3.XeKTpHYeCKMfi CWrHaJl CUHyCOUnaJlbHO# MJIW IlpHMOyrOJIbHOfi [POPMbl, UIITMqeCKMfi npflM0JTOJbHbIfi CUrHaJI C BO36Y)K-ReHIleM B 06nacl.n npHMeCHO# @OTOnpOBO~UMOCTW, Ha IIOCTORHHOe MWHHTHOe nOae. nOKa3aH0, 'IT0 3KBHBaJleHTHaR CXeMa o6paaua C AOMeHOM B UCCJIenOBaHHOM Odpa3Ire MOWeT 6blTb npenCTaBJIeH0 K;IK IIeIII, IIOCJIeROBaTeJIbHO COeAUHElIHblX aKTWBHOrO COIIPOTWBJIeHAH z,( u) 1% eMKOCTW c( u), 3aBIiCHURX OT IIOCTOHHHOrO 3aBWCAMOCTW z1( u). MCCJIeZOBaHO BJIklRHWe MarlIWTHOrO IIOJIR Ha KpMTU~eCKWe 06HaPYmeIl0, YTO B Mar' LiUTHOM none JiOMeH IIaKJlO-Hanprrmemrr Ha 06paaite. JIpenJraraeTcrr B O~M O W H O~ 06-brrc~e~ue ~a~e p e r r~o u BenmmbI 3 n e~~p n~e c~o r o n o m II ToiEa nnrr Iiatiana HeycToit~smocTM M Ira CKO-HHeTCH Ha yro.?, pambrii yr.iy Xoma B c n a 6 o~ 3JleIiTPW' leCKOM none m e DnMeHa.POCTb RBMXZeHUH AOMekIa.

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Elektrische Untersuchungen an „zusatzfreien”︁ Zinndioxydschichten hoher Elektronenkonzentration im Temperaturbereich zwischen 90 °K bis etwa 290 deg;K

Koch¹

1963

Physica Status Solidi (b)

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Es wird iiber elektrische Untersuchui;gen an ,,zusatzfreien" Zinndioxydschichten mit spezifischen Leitfahigkeiten zwischen lo-' bis etwa 3 . lo2 C2-l cm-' bzw. mit Elektronenkonzentrationen zwischen 10l8 bis 2 . lozo berichtet. Die Schichten wurden nach dem Gaszersetzungsverfahen hergestellt. Bei Zimmertemperatur wurde ein nichtlinearer Zusammenhang zwischen spezifischer Leitfahigkeit u und Elektronenkonzentration N gefunden: u -N W . Unter der Voraussetzung eines parabolischen Leitungsbandes kann daraus (fur hohe Elektronenkonzentrationen ist das Elektronengas weitgehend entartet) auf ein Stoozeit-Energie-Gesetz der Gestalt: z = Sl/z E1/2 geschlossen werden. I m Bereich der Zimmertemperatur iiberwiegt die Streuung an longitudinalen optischen Gitterschwingungen mit einer effektiven charakteristischen Temperatur von 0 2 0 % 150 OK. Mit Hilfe bekannter optischer Eigenschaften des SnO, wurde nach der Theorie von HOWAETR und SONDHEIMER die spezifische Leitfahigkeit grob abgeschatzt und mit dem Experiment verglichen, um einen Anhaltspunkt iiber die effektive Masse im Leitungsband und iiber den Absolutwert des Vorfaktors S1p des StoBgesetzes zu erhalten. Die im Rahmen der Arbeit praktizierte Untersuchungs-und Buswertemethodik beansprucht allgemeines Interesse, wenn es darauf ankommt, Einblick in den Streumechanismus eines Halbleiters mit parabolischer Bandstruktur im Entartungsfall zu erhnlten.The electrical properties of semiconducting Sn0,-films without added foreign metallic impurities are investigated. The films are prepared by the "gas reaction process".For films with u w 10-1 to % 3 x 102C2-' cm-1 (electron concentration N = 10l8 to 2 x 1020 ~m -~) it is found that a t room temperature Q is proportional to N4P .Assuming a parabolic conduction band and complete degeneration of the electron gas the relaxation time t can be shown from this dependence t o be z = for E the electron energy relative to the bottom of the conduction band. According to the theory of HO-WARTH and SONDHEIMER this indicates that a t room temperature scattering by longitudinal optical modes is the dominant scattering mechanism. The effective characteristic temperature of longitudinal vibrations is found to be 020 w 150 O K . By using some optical properties of the vibration spectrum of Sn0,the effectivt mass m* and the factor S,/z are estimated. This method of obtaining information about the scattering mechanism i? degenerate semiconduct.ors with a parnbolic band structure seems to have some general interest. Bisherige Untersuchungen am SnO,Die friihesten Untersuchungen [l, 2, 31 erfolgten an geprel3ten Pulvern mit spezifischen Leitfahigkeiten zwischen 10-4 bis 10-8 0-1 cm-1. Schichten wurden erstmals von BAUER [4] untersucht. Sie wurden durch thermische Oxydation von Zinn gewonnen und wiesen spezifische Leitfahigkeiten zwischen bis 34 0-l cm-' auf. Aus Halleffektmessungen ergab sich Elektronenleitung mit Beweglichkeiten zwischen 0,9 bis 6,6 .cma/Vs. Neuere Untersuchungen [5 bis 171 wurden durchweg an Schichten durchgefiihrt, die durch hydrol...

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Einflu� der Geometrie auf Halleffekt und magnetischen Widerstandseffekt bei rechteckf�rmigen Halbleiterproben

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The effect of a transverse magnetic field on 1/f noise in graphene

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