Efficient wet etching of GaN and p-GaN assisted with chopped UV source

Investigations on Electrode-Less Wet Etching of GaN Using Continuous Ultraviolet Illumination

“…This is due to less catalytic metal on the surface, which results in a limited amount of photo-generated electrons consumed by the solution and therefore a reduction in etch rate. 10 Etching using a noncatalytic Ti mask also produced extremely slow etch rates similar to those obtained using the dark-field Ni mask. This clearly shows that the etch rate is strongly affected not only by the type of mask used, but also by the area of catalyst present on the semiconductor surface when using the electrode-less wet etching technique.…”

“…Further work has shown that periodic UV illumination can be used to obtain surfaces with reduced roughness. 10 Conditions required to obtain smoothly etched surface morphologies using the PEC technique have been extensively investigated. However, to date, no studies showing how light intensity and solution concentration affect etch rate and final surface morphology in electrode-less etching have been presented.…”

Металл-усиленное фотохимическое травление N- и Ga-полярных эпитаксиальных слоев GaN

“…Травление слоев GaN является достаточно сложной задачей из-за чрезвычайно высокой химической стойкости материала. В настоящее время жидкостное химическое травление слоев GaN обычно осуществляется с помощью различных методов, таких как: травление с ультрафиолетовым (УФ) облучением (фотохимическое травление) [4,5], c УФ облучением и формированием короткозамкнутого противоэлектрода на поверхности слоя GaN без приложения внешнего напряжения (металлусиленное фотохимическое травление) [6][7][8][9][10][11][12][13], c УФ облучением, формированием контактного противоэлектрода и приложением внешнего напряжения (фотоэлектрохимическое травление) [12,14]. В свою очередь известно, что метод металл-усиленного фотохимического травления слоев GaN обеспечивает получение топологического рисунка при использовании металлической защитной маски, которая одновременно служит катодом, что существенно упрощает процесс травления.…”

Photoelectrochemical roughening of p‐GaN for light extraction from GaN/InGaN light emitting diodes

“…In this work, we present a process for using PEC etching to roughen the Ga-face of p-side-up LEDs. In addition to the applications for LED roughening, this is the first demonstration of PEC etching of p-type GaN without an applied bias [8][9][10] or chopped light source [11]. Photoillumination of a p-type semiconductor results in the formation of both electrons and holes at the illuminated surface.…”