Effect of high-dose irradiation on the optically stimulated luminescence of Al2O3:C

Dose-Dependence of Trap Parameters of OSL Decay from Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>:C

“…In the AOSL approximation the graph of the logarithm of the luminescence intensity versus the time clearly shows the two decay constants (Figure 7). The decay constants determined from these graphs are also shown in Table 2 [13] also observed that the rate of decay increases as dose increases.…”

“…Several authors have reported that the decay curve of OSL can be described as the sum of multiple exponentials. Also, it is reported in many works that the OSL decay curves from Al 2 O 3 :C samples suggest an overlap of several peaks or even a distribution of traps having different activation energy and frequency factors [11][12][13][14][15].…”

Роль дырочных ловушек в термолюминесценции дозиметрического пика в анион-дефектных монокристаллах alpha-Al-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-3-=/SUB=-

“…• C. Выводы о сложной многокомпонентной природе основных лову-шек подтверждаются также результатами исследования оптически стимулированной люминесценции [12][13][14]. Так, в работе [12] были обнаружены различия в оп-тическом обесцвечивании низко-и высокотемператур-ных составляющих ТЛ-пика при 400−500 K. При ис-следовании кривых линейно-модулированной оптически стимулированной люминесценции в различных образ-цах анион-дефектных монокристаллов оксида алюминия установлено, что основная ловушка включает в себя не менее трех элементарных компонент [12,14].…”

“…В работе [5] на основании исследования изменений концентрации F + -центров в температурном диапазоне дозиметрического пика (400−500 K) было установлено, что низкотемпературная часть ловушек имеет электронную природу. Данную точку зрения можно считать общепризнанной, так как она поддер-живается другими авторами [7,10,13]. Менее изучена природа высокотемпературных ловушек, ответственных за дозиметрический ТЛ-пик в анион-дефектном α-Al 2 O 3 .…”

“…Из-вестно, что электронные и дырочные глубокие ловушки обнаруживаются в исследуемых кристаллах по данным измерения высокотемпературной ТЛ [17][18][19][20] и другим косвенным признакам (фототрансферная ТЛ, изменение выхода ТЛ и повышение светочувствительности матери-ала) [5,8,10,13,16,17,21]. Их влияние на ТЛ основного пика обусловлено конкурирующими процессами в за-хвате носителей заряда, которые могут быть описаны в рамках известных кинетических моделей [22][23][24].…”