Disorder production in ion implanted silicon

Abstract

At sufficiently low temperatures disorder production during ion implantation can be described in each case by the model of deposited elastic energy. With increasing temperature nucleation and segregation of defects become significant. By Rutherford backscattering technique with a high depth resolut,ion arrangement kinetics of defect nucleation are observed in dependence on temperature, ion mass, and presence of foreign atoms.Bei geniigend tiefen Temperaturen ist die Strahlenschadenserzeugung bei der Ionenimplantation in jedem Fall durch die deponierte elastische Energie beschreibbar. Mit steigender Implantationstemperatur gewinnen Nukleations-und Segregationseffekte an Bedeutung. Mit Hilfe der Rutherford-Ruckstreuung wird bei hoher Tiefenauflosung die Kinetik der Schadenserzeugung in Abhgngigkeit von Temperatur, Ionenmasse, und Fremdatombeimengungen im Target untersucht.