Die elektrischen Eigenschaften von Indiumarsenid II

Folberth, O. G.; Madelung, O.; Weiß, H.

doi:10.1515/zna-1954-1108

Cited by 58 publications

(5 citation statements)

References 0 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…These values were used to calculate the bulk resistivity ρ of the p InAsSbP contact layer by the formula where t is the contact layer thickness; J 0 is the current density near the p-n junction under the contact [13]; and n = 1 is the ideality factor. The values we obtained and the type of the temperature dependence ρ(T) for the p InAsSbP solid solution (table) correlate with the data for p InAs with hole concentrations in the range (0.4-1.3) × 10 18 cm -3 [17,19], which is in agreement with our knowledge of the doping level of p InAsSbP layers, obtained through independent measurements. Figure 5 shows how the dependences of the optical power efficiency for the light incident on the diode (or the efficiency of photogenerated carrier collection F(I tot )) on the total current I tot ; the dependences were 3 By analogy with R s , it can be assumed that R 0 is also current dependent.…”

Section: Resultssupporting

confidence: 89%

“…As the temperature is raised from 25 to 80°C, R pn exponen tially decreases (see, e.g., the R 0 (1/T) dependence in [3]) and, probably, the resistivity of the p InAsSbP layer increases. The expected increase in R p for p InAsSbP, found from the 1/ρ(T) dependence for the closest analog, p InAs SbP, is ~(10-15)% [17]. For the above reasons, the homogeneous NL (reverse cur rent) distribution at 25°C gives way to current crowd ing near the anode at 50-80°C.…”

Section: Methodsmentioning

confidence: 91%

See 1 more Smart Citation

Front surface illuminated InAsSb photodiodes (long-wavelength cutoff λ0.1 = 4.5 μm) operating at temperatures of 25–80°C

et al. 2012

View full text Add to dashboard Cite

The current-voltage characteristics and temperature dependences of zero bias dynamic resis tance are analyzed for InAsSb photodiodes, with consideration for current crowding near the anode, using experimental data on the intensity distribution of positive and negative luminescence over the surface of the diodes. The effect of temperature on the efficiency of photogenerated carrier collection in the diodes and also the effect of the anode configuration on the current sensitivity and detectivity of the diodes are discussed.

show abstract

Section: Resultssupporting

confidence: 89%

Section: Methodsmentioning

confidence: 91%

Front surface illuminated InAsSb photodiodes (long-wavelength cutoff λ0.1 = 4.5 μm) operating at temperatures of 25–80°C

et al. 2012

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Methods of purification of these elements have varied considerably, but an apparent limit has been reached in the purity of the indium arsenide produced. Uncompensated material containing less than 101~ carriers cm -~ has not been reported, whereas the room temperature intrinsic concentration is probably 1.25 x 101~ (3). Extensive zone refining of very pure samples in this laboratory has produced, at the most, a 3 to 1 variation from front to back of the ingot.…”

mentioning

confidence: 79%

Preparation of High-Purity Indium Arsenide

Effer¹

1961

J. Electrochem. Soc.

View full text Add to dashboard Cite

The purest indium arsenide so far reported has a carrier concentration of about 1.3.1016 electrons/cm3 at room temperature. This is several times the intrinsic value and it has been suggested that the limiting impurity may be sulfur originating in the arsenic component. Arsenic has been prepared by the thermal decomposition of highly purified arsine gas and has been combined with samples of indium purified by a variety of processes. Mass spectrographic analysis of the resultant ingots showed in all cases a sulfur content less than 0.05 ppm. The purest sample had a Hall coefficient of 795 cm3/coulomb at 77°K, corresponding to an electron concentration of 8.1015/cm3 while the Hall mobility was 75,700 cm2/v/sec. Analytical techniques failed to detect the prime source of the free electron concentration, but it is concluded that sulfur is not the dominant impurity in these samples.

show abstract

“…Однією з характеристик, що описує електричні властивості матеріалу, є рухливість носіїв заряду. У науково-технічній літературі для арсеніду індію переважають дослідження холловської рухливості: розраховані залежності холловської рухливості від концентрації електронів для температури 77 К і 300 К [2], досліджені температурні залежності холловської рухливості електронів [3][4][5][6][7][8][9]. Температурна залежність дрейфової рухливості електронів для InAs слабо представлена.…”

Section: вступunclassified

Research of the Drift Mobility of Electrons in Arsenide India

Saurova¹,

Semenovskaya²,

Шевчук³

2019

BNTUU"KPI".SIM

View full text Add to dashboard Cite

Однією з характеристик електричних властивостей матеріалу є рухливість носіїв заряду. Метою даної роботи є дослідження температурної залежності дрейфової рухливості електронів в арсеніді індію у слабкому полі. Для дослідження слабопольової дрейфової рухливості електронів проведено кількісну оцінку і аналіз швидкостей розсіювання імпульсу для різних видів домішкового і фононного механізмів розсіювання. Чисельне моделювання механізмів розсіювання виконано на основі дводолинної (ГL) моделі для слабкого електричного поля. Результати моделювання температурної залежності швидкостей розсіювання для розглянутих видів домішкового і фононного механізмів розсіювання показали: за низьких температур домінує домішкове розсіювання, для найнижчих температур на нейтральних атомах домішки з поступовим зростанням (при Т > 40К) розсіювання на іонізованих атомах домішки. Акустичне розсіювання проявляється починаючи з низьких температур, однак вносить непомітний внесок у величину сумарної швидкості розсіювання. При Т > 80 К зростає роль полярного оптичного розсіювання. У розглянутому діапазоні температур практично не проявляється міждолинне розсіювання. Представлені результати чисельного моделювання температурної залежності рухливості електронів в арсеніді індію для різних значень концентрації домішки. Отримано відповідність розрахованої температурної залежності дрейфової рухливості електронів ряду експериментальних значень, виміряних при 77 K і 300 K. Розбіжність з розрахунковим значенням при Т = 300 К пояснюється відмінністю вихідних параметрів моделювання. Для арсеніду індію запропоновано набір вихідних параметрів моделювання, які забезпечують відповідність експериментальним даним. Порівняння результатів чисельного моделювання температурної залежності рухливості електронів показує, що рухливість електронів в InAs перевищує відповідні величини для Si, Ge, GaAs. Порівняння розрахованих для арсеніду індію характеристик показало, що величини рухливості і дрейфової швидкості вищі, а значення критичного поля нижчі, ніж для арсеніду галію.

show abstract

Die elektrischen Eigenschaften von Indiumarsenid II

Cited by 58 publications

References 0 publications

Front surface illuminated InAsSb photodiodes (long-wavelength cutoff λ0.1 = 4.5 μm) operating at temperatures of 25–80°C

Front surface illuminated InAsSb photodiodes (long-wavelength cutoff λ0.1 = 4.5 μm) operating at temperatures of 25–80°C

Preparation of High-Purity Indium Arsenide

Research of the Drift Mobility of Electrons in Arsenide India

Contact Info

Product

Resources

About