Conductivité électrique et effet Hall dans des couches minces de bismuth entre 4,2 °K et 300 °K

Traon, J.Y. Le; Combet, H.A.

doi:10.1051/jphys:01969003005-6041901

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“…, These results are in agreement with those reported by numerous authors [2][3][4][5][6][7][8][9][10][11]. Indeed, it has appeared that the (0001) planes tend to lie parallely to the substrate whenever the films are evaporated on an amorphous substrate of carbon, collodion or glass and also when they are epitaxially grown on both, mica and sodium chloride.…”

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confidence: 92%

“…The change in the sign of RH at low temperature has been observed and first interpreted by Le Traon et al [4] in terms of structural changes, namely, the quality of the texture would be affected by the film Fig. 11.…”

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confidence: 78%

“…Contrarily, if epitaxially grown on potassium chloride or potassium bromide substrates the deposit of planes (0112) parallel to the substrate seems to be enhanced. 4. Conséquences of the structural study on some conduction properties of bismuth films.…”

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confidence: 99%

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Structural study of bismuth films and its consequences on their electrical properties

Buxo

Saleh

Sarrabayrouse

et al. 1980

Rev. Phys. Appl. (Paris)

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2014 Les auteurs étudient les propriétés structurales des couches minces de bismuth à 1'aide des techniques suivantes : diffraction des électrons par réftexion, diffraction des rayons X, microscopie électronique par balayage et diffraction et microscopie électronique par transmission. Ils rappellent les propriétés électriques des couches minces de bismuth (mesures de conductivité et du facteur RH). Il apparait que les états de surface jouent un rôle déterminant dans les définitions des propriétés du facteur RH et de la conductivité. Cette conclusion est étayée par les résultats de 1'etude structurale. Une propriété importante du mécanisme de conduction telle que le libre parcours moyen des porteurs a été estimée et sa valeur est aussi en accord avec les résultats de l'étude structurale.La densité des états de surface ainsi que la hauteur de barrière associée aux joints de grain ont été évaluées en fonction des différentes techniques de preparation. Abstract. 2014 The structure of bismuth thin films prepared according to three different deposition techniques is inspected by : reflection electron diffraction, X-ray diffraction, scanning electron microscopy, transmission microscopy and electron diffraction. The electrical conduction properties, RH and conductance measurements, of these films are then discussed. It appears that surface states play a major role in dictating the properties of both RH and conductivity. This is clearly confirmed with the aid of the conclusions of the structural study. By comparing size effect theories with the conductivity data the carrier mean free path can be estimated to be of the order of 1 000 Å in good agreement with the observation of the film structure. The surface state density and the energy barrier that controls the carrier transport across the grain boundaries have also been evaluated as a function of the preparation technique.

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Structural study of bismuth films and its consequences on their electrical properties

Buxo

Saleh

Sarrabayrouse

et al. 1980

Rev. Phys. Appl. (Paris)

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“…Nous presentons quelques resultats concernant 1'autoepitaxie du bismuth sur des films minces recuits en fonction de la structure, de 1'epaisseur et de la temperature. 2. Dispositif experimental et structure des films.…”

unclassified

“…Si la condensation initiale est realisee à t > 100°C.. les couches demeurent discontinues jusqu'a des epaisseurs superieures a 2 000 A et si le recuit est prolonge au-dela de 160 °C, on observe en microscopie electronique, pour les faibles epaisseurs, une attaque thermique aux niveaux des joints de [2,3].…”

unclassified

Conductibilité électrique de films minces de bismuth ; application à l'étude de l'autoépitaxie

Pariset

Vatamanyuk

1978

J. Phyique Lett.

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2014 Pendant la condensation d'adatomes de bismuth sur la surface libre de films minces de bismuth déposés sur des substrats amorphes, on mesure les variations de résistivité électrique en fonction de l'épaisseur de la couche superficielle. A partir de l'étude de cette quantité mesurée en fonction des conditions de fabrication, de l'épaisseur et de la température, on montre que les surfaces sont largement spéculaires vis-à-vis des électrons de conduction et que le mécanisme de croissance autoépitaxiale est du type Frank-van der Merwe à partir de 2014 196 °C.

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Structure and electric conductivity of size-Quantized bismuth films

Borzyak¹,

Vatamanyuk²,

Kulyupin³

et al. 1973

Phys. Stat. Sol. (a)

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An expression is derived for the electric conductivity of the size‐quantized bismuth films taking account of preferential scattering of the current carriers by the boundaries of the crystallites of which the film consist. The dependences of conductivity on the film thickness and temperature are calculated. Experimental results indicate that it is necessary to take into account carrier scattering by the crystallite boundaries.

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Conductivité électrique et effet Hall dans des couches minces de bismuth entre 4,2 °K et 300 °K

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Structural study of bismuth films and its consequences on their electrical properties

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Conductibilité électrique de films minces de bismuth ; application à l'étude de l'autoépitaxie

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