Conductibilité électrique de films minces de bismuth ; application à l'étude de l'autoépitaxie

Abstract

2014 Pendant la condensation d'adatomes de bismuth sur la surface libre de films minces de bismuth déposés sur des substrats amorphes, on mesure les variations de résistivité électrique en fonction de l'épaisseur de la couche superficielle. A partir de l'étude de cette quantité mesurée en fonction des conditions de fabrication, de l'épaisseur et de la température, on montre que les surfaces sont largement spéculaires vis-à-vis des électrons de conduction et que le mécanisme de croissance autoépitaxiale est du type Frank-van der Merwe à partir de 2014 196 °C.

Mesure du travail de sortie du système BI/BI (0001)

“…as a function of surface coverage 0 (ML) for different substrate temperatures T (15 K T 420 K). The dotted curve is taken from reference [15].] mais la valeur du minimum AO (30 ± 2) meV est inférieure.…”

“…Les résultats de nos mesures de variation de la résistance électrique sont en très bon accord avec ceux de Pariset et al [15]. La courbe en pointillés (T = 15 K) de la figure 2b est extraite de cette référence.…”