Mesure du travail de sortie du système BI/BI (0001)

Abstract

La mesure de la variation du travail de sortie ΔΦ de couches minces de bismuth (0001) (épaisseur ~ 250 Å) en fonction du recouvrement θ en bismuth (0 < θ ≲ 2,5 MC) a été effectuée à différentes températures T (22 ≤ T ≤ 420 K). A l'aide d'un modèle de Topping modifié, les résultats pour les faibles recouvrements (θ ≲ 0,5 MC) nous permettent de déterminer le moment dipolaire effectif moyen p eff par adatome et d'estimer sa polarisabilité effective α. Nous obtenons : peff (22 K) = (0,29 ± 0,02) D, p eff (76 K) = (0,14 ± 0,02) D, peff (100 K) = (0,03 ± 0,02) D et α = (89 ± 6) Å3. Dans cette notation p eff (22 K) correspond au moment dipolaire p0 d'un adatome de bismuth isolé sur une terrasse (0001) de bismuth. De plus, nous proposons une interprétation des courbes ΔΦ(θ)T dans la gamme de recouvrement considérée à l'aide d'un modèle de croissance de la couche adsorbée dépendant de la température du substrat. Ce modèle est semblable à celui utilisé pour l'interprétation des variations de la résistance électrique de ce même système