Évolution de la rugosité superficielle à l'échelle atomique pendant la croissance simulée sur ordinateur d'un film métallique condensé sous vide

Chauvineau, J.P.

doi:10.1016/0022-0248(81)90131-7

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“…Chauvineau [5] et Pariset [6] ont mesuré les variations de la résistance électrique de couches minces de bismuth (300 A e 2 000 A) en fonction du recouvrement 0 en bismuth (0 0 ag 6 MC) et de la température T (15 K T 420 K). Ils ont développé un modèle permettant de relier leurs résultats à la diffusion superficielle des espèces adsorbées [7]. D'autre part, Smoluchowski [8] a montré que le travail de sortie dépend aussi de la variation de la rugosité superficielle.…”

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Mesure du travail de sortie du système BI/BI (0001)

Hölzl

Heimlich

Chauvineau

et al. 1984

Rev. Phys. Appl. (Paris)

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La mesure de la variation du travail de sortie ΔΦ de couches minces de bismuth (0001) (épaisseur ~ 250 Å) en fonction du recouvrement θ en bismuth (0 < θ ≲ 2,5 MC) a été effectuée à différentes températures T (22 ≤ T ≤ 420 K). A l'aide d'un modèle de Topping modifié, les résultats pour les faibles recouvrements (θ ≲ 0,5 MC) nous permettent de déterminer le moment dipolaire effectif moyen p eff par adatome et d'estimer sa polarisabilité effective α. Nous obtenons : peff (22 K) = (0,29 ± 0,02) D, p eff (76 K) = (0,14 ± 0,02) D, peff (100 K) = (0,03 ± 0,02) D et α = (89 ± 6) Å3. Dans cette notation p eff (22 K) correspond au moment dipolaire p0 d'un adatome de bismuth isolé sur une terrasse (0001) de bismuth. De plus, nous proposons une interprétation des courbes ΔΦ(θ)T dans la gamme de recouvrement considérée à l'aide d'un modèle de croissance de la couche adsorbée dépendant de la température du substrat. Ce modèle est semblable à celui utilisé pour l'interprétation des variations de la résistance électrique de ce même système

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