Structure and electric conductivity of size-Quantized bismuth films

Abstract

An expression is derived for the electric conductivity of the size‐quantized bismuth films taking account of preferential scattering of the current carriers by the boundaries of the crystallites of which the film consist. The dependences of conductivity on the film thickness and temperature are calculated. Experimental results indicate that it is necessary to take into account carrier scattering by the crystallite boundaries.

Conductibilité électrique de films minces de bismuth ; application à l'étude de l'autoépitaxie

“…Outre la favorisation d'une seule orientation cristalline, le recuit permet d'augmenter d'un facteur de 1'ordre de 5 la taille laterale des cristaux, mais nous constatons comme d'autres auteurs [5,6] un accroissement de la taille lorsque 1'epaisseur des films realises en une évaporatfon continue augmente ; par contre la méthode d'autoepitaxie permet de conserver une taille de grains assez reproductible de l'ordre de 10 000 A lorsque 1'epaisseur du film est superieure a 800 A ; ce resultat est important en particulier pour 1'etude de 1'effet de taille en fonction de 1'epaisseur qui necessite une structure constante.…”